《太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法》（讨论稿）.doc

ICS29.045 H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXX—XXXX 太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法 Test Method for Thickness and Total Thickness Variation of Solar Wafer XXXX - XX - XX发布 XXXX - XX - XX实施 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准由东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司起草。 本标准主要起草人： 太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法 范围 本检测方法规定太阳能级硅片厚度及总厚度变化分立式和扫描式测量方法，为非接触式测量方法，适用于测量大于等于100mm×100mm的硅方片。 本标准规定了硅片的测量装置与环境要求、干扰因素、测量程序以及测量结果的计算和试验报告等。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 方法概