MOS器件物理-绪论.ppt

亚阈值效应 亚阈值效应又称为弱反型效应 前面分析MOS管的工作状态时，采用了强反型近似，即假定当MOS管的VGS大于Vth时，表面产生反型，沟道立即形成，而当MOS管的VGS小于Vth时，器件就会突然截止。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 亚阈值效应 但MOS管的实际工作状态应用弱反型模型，即当VGS略小于Vth时，MOS管已开始导通，仍会产生一个弱反型层，从而会产生由漏流向源的电流，称为亚阈值导通，而且ID与VGS呈指数关系： 其中ξ1是一非理想的因子；ID0为特征电流： ，m为工艺因子，因此ID0与工艺有关；而VT称为热电压： 。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 亚阈值效应 亚阈值工作特点： 在亚阈值区的漏极电流与栅源电压之间呈指数关系，这与双极型晶体管相似。 亚阈值区的跨导为： 由于ξ1，所以gmID/VT，即相同电流MOS管最大跨导比双极型晶体管（IC/VT）小。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 亚阈值效应 对于饱和区的MOS管，提高跨导增大W而保持ID不变，但ID保持不变的条件是降低VOV，进而进入亚阈值工作状态时跨导最大。 所以为了得到亚阈值区的MOS管的大的跨导，其工作速度受限（大的器件尺寸引入了大的寄生电容）。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 温度效应 温度效应对MOS管的性能的影响主要体现在阈值电压Vth与载流子迁移率随温度的变化。 阈值电压Vth随温度的变化：以NMOS管为例，阈值电压表达式两边对温度T求导可以得到： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.3.1 MOS管的电特性—阈值电压(2) 阈值电压(PMOS) 注意： 器件的阈值电压主要通过改变衬底掺杂浓度、衬底表面浓度或改变氧化层中的电荷密度来调整。 用以上方程求出的“内在”阈值在电路设计过程中可能不适用，在实际设计过程中，常通过改变多晶与硅之间的接触电势即：在沟道中注入杂质，或通过对多晶硅掺杂金属的方法来调整阈值电压。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.3.1 MOS管的电特性—I/V特性(1) 输出特性（I/V特性） MOS晶体管的输出电流－电压特性的经典描述是萨氏方程。 忽略二次效应，对于NMOS管导通时的萨氏方程为： 　　　 　　　　　　　　　 　　 VGS－Vth：MOS管的“过驱动电压”，记为VOV ；W/L称为宽长比；L：指沟道的有效长度； 称为NMOS管的导电因子。 ID的值取决于： 工艺参数μnCox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.3.1 MOS管的电特性—I/V特性(2) 讨论： 截止区：VGS≤Vth，ID＝0 线性区：VDS≤VGS－Vth，漏极电流即为萨氏方程 深线性区：VDS2（VGS－Vth），萨氏方程可近似为： 当VDS较小时，ID是VDS的线性函数，即这时MOS管可等效为一个电阻，其阻值为： 　 深线性区的MOS管可等效