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半导体基本知识点初涉学习
考虑外加电压于PN结上,根据外加电压的极性有两种情况 PN结加正向偏置电压(正偏): PN结加正向电压时的导电情况 2 PN结的特点 外加电压使内电场减小以致 阻挡层变窄 多子形成的扩散电流增加 漂移电流减小 从电源正极有流入P 区的正向电流 P 区接电源正极 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结加反向电压时的导电情况 由于在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。 N 区接电源正极 外加电压使内电场增加以致 阻挡层加宽 扩散电流进一步减小趋于零 少子形成的漂移电流居支配地位 从电源正极有流入N 区的很小的反向电流 2 PN结加反向偏置电压(反偏): Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结正偏时,具有较大的正向扩散电流,呈现低电阻; PN结导通 PN结反偏时,仅有很小的反向漂移电流,呈现高电阻。 PN结截止 ∴ PN结具有单向导电性。 结论 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3 PN结V- I 特性(伏安特性)表达式 习惯: P(+),N(-)为参考方向 PN结的伏安特性 门坎电压(死区电压Vth):导通、未导通的分界; 导通条件:V> Vth;(与材料有关,Si :0.5V,Ge:0.1V) 导通后特征(Si):0.6~0.8V,约0.7V左右(具体由实测或计算机仿真); 截止条件: V Vth; (对内电场克服不够) 截止后特征:电流几乎为0。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 其中: PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流。反向截止的少子电流,越小越好,与温度变化有关 VT ——温度的电压当量 常温下(T=300K): vD——PN结外加电压 可推知:PN结加正压,VD≈0.7V, PN结加反压,VD为负值,若 比 大几倍时, 。可见,反向电流是个常数 ,不随外加反向电压的大小而变动。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN结的反向击穿。 4 PN结的反向击穿 1).PN结的反向击穿现象 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 强电场将阻挡层内中性原子的价电子直接变为自由电子 功率损耗? PN结温升高?本征激发加剧?反向电流更大?连锁反应 反向电压增加 ?少子漂移加快 ?动能增加 ?碰撞电离?连锁反应 2) . 击穿的物理本质 (1)雪崩击穿:碰撞电离 (2)齐纳击穿:场致激发 (3)热击穿: PN结过热 电击穿 齐纳击穿: 雪崩击穿: 热击穿 具有可逆性 具有破坏性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 图1.1.10 PN结的伏安特性 正向特性: 反向特性: u<0时,i ≈-Is 击穿特性: > U(BR)时,i↑ 小结: Evalua
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