退化半导体模型弱解的存在性、唯一性和渐近性.pdf

东南大学 硕士学位论文 退化半导体模型弱解的存在性、唯一性和渐近性 姓名：周文华 申请学位级别：硕士 专业：应用数学 指导教师：管平摘要 退化半导体模型弱解的存在性、唯一性和渐近性 研究生：周文华 导师：管平教授 东南大学 文章研究一类非线性退化半导体方程： 摘要 坼-div(V烈u)-uVw)=r(u，v)O—uv)， E-div(V烈V)+vV叻=r(u，v)O—uv)， 一Aw=v一“+G． V烈“)·0=oV烈v)·u=oVw·u=0， 烈”)=烈％)，烈V)=烈％)，w=wo， “(·，O)=Ido，V(·，O)=vo， 瓴，)∈G=Q×(o’r)， 0，r)∈珐， (x，，)∈G， (x,t)∈EⅣ=rNx(O，丁)， (x，f)∈ED=rjx(o，r)， x∈Q． 弱解的存在性、唯一性和渐近性。 这里QcR“(1≤N≤3)有界，Ⅱ，v分别表示电子和空穴的浓度，W为静电位势。烈s)为压力 函数，r(u，v)(1一w)为净复合率，aQ=rDuFN，FourⅣ=o。 文章主要分为四章：在第二章讨论初值为UO，vo∈E(Q)，W∈WI．p(Q)(p≥2)时弱解的存在 性。首先利用截断的方法将原问题正则化，化为‰，vo E上：(Q)的退化问题，接着对正则化问题的解 做估计(这里的估计与具体的截断无关)，最后利用弱收敛性，通过取极限的方法证明了原问题解的 存在性；在第三章中讨论了唯一性。采用试验函数方法，证明了当初值为‰，1o∈e(Q)时原问题解 的唯一性；第四章构造了一个函数，通过求解微分方程证明了初值为‰，v0∈上：(Q)时原问题解的渐 近性。 关键词：退化抛物型方程：Gronwall引理；存在性；唯一性；渐近性． 中图分类号：0212．2 ^塔(2∞0)主曩分类：62J02：62J20 东南大学硕上学位论文 On the Existence，Uniqueness and Asymptotic Behaviour of Weak Solutions to a Degenerate Model for Semiconductors Graduate：Zhou Wenhua Supervisor：Prof．Guan Ping Southeast University the following problem is studied Abstract 坼一div(V烈“)一uVw)=r(u，V)(1一uv)， vf—div(VI烈v)+vVw)=r(u，V)(1一uv)， 一Aw=v一“+G． V烈Ⅳ)·u=0，V烈V)·p=0，Vw·o=o 烈“)=AnD)，烈V)=认vD)，W=wD， “(·，O)=uo，V(·，O)=vo， O，r)∈g=Q×(o，丁)， (x，f)∈g， ∞，)∈G， (x,t)∈∑Ⅳ=K×(0，r)， (x,t)∈∑D=rD×(O，r)， x∈Q． where the unknowns嵋材andvdenote the electrostatic potential。the electron density and the hole density respectively,and烈s)，r(u，v)O一矾，)the pressure function and the net recombination rate respectively．The boundary m spires into two disjoint subsets rD and rⅣ． The thesis is organized in the following way：In chapter 2．the existence of tIle solution is discussed with‰，vo∈E(Q)and wEWI,p(Q)(p≥2)．Firstly a regularization of the problem with ‰，％∈E(Q)is made by a cut-off method．By compact lemma it is proved that the limit of the solutions ofthe regularized problem is a solution ofthe origt姐I problem afIer estimates．In chapter 3．It is showed that the solution of the original problem with 90，v0 Ee(Q)is unique by the test function method．In chapter 4 by constructoring a function it s