11+12低噪声放大器设计教案.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * CMOS LNA实例（1） * * CMOS LNA实例（2） * * CMOS LNA实例（3） * * 作业 P.308 第一题 * * * * 噪 声 系 数是低噪声放大器最关键的指标之一，也是设计中的主要考虑因素。 * * 所以，一般来说低噪声放大器的增益确定应与系统的整机噪声系数、接收机动态范围等结合起来考虑。 * * LN A 从 天线接收到的信号时强时弱，而对混频器输出的信号又不能过载，这就要求LNA的增益最好是可以控制的。增益可控既能抑制过大信号，又能最 大程度地放大弱信号。 * * 一般来说，实现最大传输功率所需的信号源阻抗与最小噪声系数所要求的信号源阻抗 是不一致的，因此我们必须在LNA功率传输和噪声性能之间取得一个最优的折 衷。在电路设计中，一般是在实现最大传输功率50欧姆匹配的情况下，使噪声系数尽可能小 * * 由于低噪声放大器的前一级通常是天线或者带通滤波器，为了达到最大传输功率，放大器的输入级应表现为50欧姆的负载特性。而MOSFET的输入阻抗是容性的，为了实现低噪声放大器和源阻抗匹配，使LNA对外部电路表现为一个己知的电阻性阻抗 * * 单端LNA性能受源端电感LS影响很大。信号源的接地回路认为是合源极负反馈电感的下端位于相同的电位，但实际上这两个电位之间存在不可避免差别，由于这两点之间总存在某一不为零的阻抗，而且本书负反馈电感的值也很小，因此在这两个接地点，即使有很小的附加寄生电抗有可能对LNA性能产生很大的影响。使得后级电路形成寄生反馈电路，从而不稳定。 * * * * 其他部分采用键合线 * * MOS LNA * * MOS LNA * * MOS LNA * * MOS LNA * * MOS LNA * * MOS LNA * * MOS LNA * * 最小噪声系数和最佳噪声匹配 * * 最小噪声系数和最佳噪声匹配 * * 最小噪声系数和最佳噪声匹配 * * CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配 * * 设计过程 首先确定器件宽度 由功耗约束所允许的电流大小来偏置这个器件 根据相应偏置条件下的ωT值选择源端负反馈电感的值以达到所希望的输入匹配 计算噪声系数 加入足够的电感与栅串联使输入回路在所希望的工作频率下谐振。 * * 设计举例 单端LNA 电路原理： 电路偏置：Rbias=2KΩ Cs=10pF 假设ω=10Grps，Rs=50Ω,考虑0.5μm工艺，Leff=0.35μm, Cox=3.8mF/m, M1的偏置电流为5mA时求各分量的值和器件尺寸 * * 设计举例 4。M1的最优宽度大约为500μm；ωT=35Grps, 设α=0.85，γ=2 Fmin,P=2.2dB 为了产生50Ω的实部，Ls=1.4nH 若Cgs=0.67pF 则根据输入端谐振在10Grps则得Lg=14nH WM2=WM1 WM3=WM1/10 * * 单端LNA 共栅方式连接的M2用来减少调谐输出与调谐输入之间的相互作用，并同时减少M1的Cgd的影响。 电容 C 1 的设计目的是隔断直流电压信号，以防止影响M1的栅-源偏置 M3与M1形成电流镜，宽度为M1的几分之一，使得偏置电路的附加功耗减到最小。 * * 差分LNA CMOS工艺的差分LNA一般采用共源一共栅结构形式。 电路优点： 有利于减少密勒效应; 提高反向隔离度: 有效的抑制通过衬底藕合产生的共模噪声; 保证输入阻抗的电阻部分足够大。 为了实现共源端的反馈电感不受衬底干扰的影响，采用恒定电流源接地的方式。 * * 差分LNA电路结构 在进行比较放大时保持输出部分信号 的相同性，差分结构的电路将同时增 加或减小的误差信号相互抵消，从而 确保系统所希望获得的信号不失真。 输出调谐电感Ld不仅起到对高频信号的阻遏作用，而且可以有利于输出电路阻抗的共轭匹配，保证放大器功率增益在输出端口不被衰减。 Ls源极负反馈电感增加从M1栅和漏看进去的阻抗，优化噪声性能和输入阻抗匹配 电容 C B 的设计目的是隔断直流电压信号，以防止从电源VDD来的直流信号影响放大器输入端的信号 Lg采用平面螺旋电感，为输入端的谐振提供了附加的自由度，从而保证了输入阻抗的纯电阻特性 * * 单端与差分放大器特性对比 低噪声放大器的设计一般采用差分结构 * * LNA 的不同结构 * * 宽带低噪声放大器 * * 采用带通滤波技术的宽带LNA * * 采用并联反馈技术的宽带LNA * * LNA 的不同结构 * * LNA 的不同结构 * * LNA 的不同结构 * * LNA 的不同结构 * * * * * * * * 典型LNA参数 * * * * * * 二端