薄膜太阳能电池需掌握知识点题稿.ppt

氢化物分解 还原反应 还原反应是将含有欲沉积物质的化合物被还原剂还原，并沉积在衬底上。 还原反应的特点是具有正的反应热，是在高温下进行的反应 通常氢气作还原剂，同时也用它作载气 这里反应是可逆反应 歧化反应 具有歧化作用的元素能够生成几种氧化态的气态化合物，在反应过程中，由于反应物在较低温度下不稳定，一部分被氧化成高价的比较稳定的化合物，另一部分被还原成该元素的原子沉积在衬底上进行外延生长。 利用歧化反应，一般都在多温区炉内进行，至少需要两个温区。 MOCVD的主要缺点 1. 有机金属原料一般有毒、易燃，易爆 必须配置尾气处理系统 硅薄膜太阳能电池 HIT太阳能电池 本征非晶硅薄膜钝化单晶硅表面，掺杂非晶硅薄膜作为太阳能电池的发射极。 优点： 1. 光电转换效率高，与传统晶体硅太阳能电池效率基本相当。 2. 整个制备过程低温(200oC)，能耗低。 3. 制备过程耗时短，进一步降低能耗。(数十秒即可 完成发射极的沉积过程) 4. 开路电压高，温度系数低(Eff.%/oC)。 HIT太阳能电池结构 HIT太阳能电池制备关键技术 1. 硅片装入腔室前，HF漂洗硅片。 2. 沉积薄膜前，H处理硅片表面。 3. 本征a-Si:H薄膜钝化硅片。 4. 发射极的厚度及掺杂浓度的控制。 1. 1 硅片装入腔室前，HF漂洗硅片 目的： (1) 去掉清洗过程中硅片表面形成的自然氧化层。 (2) HF溶液中H钝化硅片表面悬挂键。 漂洗后，硅片与水完全不润湿。 1. 2 沉积薄膜前，H处理硅片表面 目的： 1. 刻蚀掉硅片表面残余损伤层。 2. 钝化硅片表面硅悬挂键。 H处理硅片表面 方式：腔室中只通入H2，利用等离子体辉光放电(PECVD)或高温热丝催化(HWCVD)分解H2,产生活性H原子，利用活性H原子处理硅片表面。 关键参数：射频功率(PECVD)或热丝温度(HWCVD)；处理时间。 1.3 本征a-Si:H薄膜钝化硅片 该工艺为HIT太阳能电池制备过程中最关键的工艺。 本征a-Si:H对硅片表面钝化的好坏对电池效率的影响明显。 在保证a-Si:H质量的前提下，防止a-Si:H生长初期发生外延现象。 本征a-Si:H厚度一般为10nm左右。 3. 多晶硅薄膜太阳能电池 多晶硅薄膜制备方式： 1. 直接沉积制备多晶硅薄膜。 液相外延：LPE 常压化学气相沉积：APCVD 低压化学气相沉积：LPCVD 等离子增强化学气相沉积：PECVD 热丝化学气相沉积：HWCVD 多晶硅薄膜太阳能电池 多晶硅薄膜太阳能电池最大的技术问题在于如何降低晶界对光生载流子副作用。 晶界聚集大量缺陷：点、线、面缺陷，杂质原子，悬挂键。 在设计多晶硅薄膜太阳能电池时，需要综合考虑多晶硅薄膜的质量与膜厚之间的平衡。 非晶硅/微晶硅/纳米硅薄膜太阳能电池 一般由PECVD或HWCVD直接沉积制备得到。 一般而言，p-i-n或n-i-p结构硅薄膜太阳能电池制备过程中，一般采用三个腔室分别沉积电池的p、i、n型层以避免各层之间产生杂质元素的交叉污染。 但是这无疑增加了太阳能电池制备的设备成本。 减少杂质原子的交叉污染可以有效的提高单腔室制备p-i-n或n-i-p型硅薄膜太阳电池的光电转换效率。 具体操作途径包括： 1. 通过H原子处理各层之间的界面。(H原子通过等离子体辉光放电或高温热丝分解获得) 2. 通过在界面生长间隙，预先生长一层硅薄膜，以覆盖可能产生杂质原子污染的区域。(一般为反应腔室内壁) 注意： 在处理界面过程中必须严格控制抽真空时间、H原子处理时间、H原子处理时射频源功率(或热丝温度)、处理时气压及缓冲层厚度等参数。否则无法起到预期效果甚至引入额外界面态缺陷。 CZTS薄膜太阳能电池制备 Cu2ZnSnS4 (CZTS) 结构与黄铜矿结构的CIGS类似，可看成是用Zn、Sn和S分别代替CIGS中的In、Ga、Se。 这种吸收层材料所有元素在地壳中的储量都非常丰富且无任何环境危害，因此，近年来，众多实验室投向了Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜材料及其电池的研究。 S Cu Zn Ga Se In Sn CZTS薄膜的光学带隙接近1.5eV，且其光吸收系数较大，非常适合制备薄膜太阳电池作为薄膜电池的吸收层，由其制备的太阳能电池理论光电转换效率为32.4%。 CZTS太阳能电池制备方法 1. 真空制备方法 1.1 蒸发法 1.2 溅射法 1.3 间接制备法 采用真空法制备的CZTS薄膜晶体质量普遍比较好，而且对于各元素组分的控制比较容易实现，因而杂相也比较少。但也同样存在沉积成本高，沉积速率慢等一些缺点，大面积均匀的CZTS薄膜生产难于实现。 CZTS太阳能电池制备方法 2. 非真空制备方法 2.1 喷雾热解法 2.2 溶胶-凝胶法 2.