一、選擇題(每題2.doc

高雄市立中正高工九十八學年度第一學期 電子學期末考 範圍：第5章 電晶體直流偏壓 日期：2010/01/15 冷凍二忠 學號____________姓名________________ 一、選擇題：(每題4分，共108分) 若一電晶體的基極電流IB=1mA，集極電流IC=0.1A，電晶體之β=100，則此電晶體工作在？區 (A) 主動區　 (B) 飽和區　 (C) 截止區　 (D) 無法判斷。 如圖1所示之電路，其輸入與輸出相位  (A) 相差180° (B) 相同　 (C) 相差90° 　(D) 接近於0°。 圖1： 圖2： 共射極組態之雙極性接面電晶體開關在開路時，電晶體工作區域為何？ (A) 截止區　 (B) 作用區 　(C) 飽和區　 (D) 歐姆區。 ICEO是指？ (A) CE電路，IB=0時之集極電流　 (B) CB電路，IB=0時之集極電流　 (C) CC電路，IB=0時之集極電流　 (D) 與ICBO一樣大小。 我們常說的BJT代表的是 (A)二極體　(B)電阻器　(C)變壓器　(D)電晶體。 如圖2所示，電晶體之β=50，使電晶體飽和之最小IB為  (A) 2mA　 (B) 1mA　 (C) 0.4mA　 (D) 0.2mA。 如圖 3所示的電晶體電路，假設β=100，VBE (sat)=0.7V，VCE(sat)=0.2V，Vi=5V，求使電晶體停 留在飽和區之最大RB值為多少？ (A) 215kΩ　(B) 48kΩ　(C) 112kΩ　(D) 76kΩ。 圖 3： 圖 4： 8. 如圖4所示，集極電壓的近似值為多少伏特？  (A) 16.8V　 (B) 15.7V 　(C) 14.8V　 (D) 12.7V。 9. 如圖5所示，若電晶體的β值為200，則使電晶體處於飽和狀態的最小IB約為多少？  (A) 0.025mA　 (B) 0.05mA　 (C) 0.5mA　 (D) 5mA。 圖5： 圖6： 10. 如圖6所示，假設電晶體的導通電壓VBE=0.6V，β=hfe=90，C1=C2=10μF，C3=50μF，則下 列何者是錯誤的？  (A) 此為共射極電路 　(B) 此電晶體不在飽和區工作 　(C) VCE=11.426V　 (D) IB=0.013mA。 11. 如圖7所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當RB電阻值變 大 時，其新的工作點應近似於哪一點？ (A) A點　 (B) B點 　(C) C點 　(D) D點。  圖7： 12.. 矽電晶體的參數受溫度的影響為？ (A) VBE隨著溫度上升而上升　 (B) β值隨著溫度上升而下降　 (C) 溫度對Q點沒有影響　 (D) 溫度每上升10℃反向飽和電流幾乎上升一倍。 13.. 如圖8，RB應為多少才能滿足Q點之條件？ (A) 430kΩ　 (B) 43kΩ 　 (C) 500kΩ　 (D) 50kΩ。