电工学原理和其应用小结.pptVIP

二 极 管 杂质半导体 题1.1.5 分析图题1.1.5电路中，各二极管是导通还是截止？并求出A、O两端的电压VAO（设D为理想二极管）。 图题1.1.5 解： 根据二极管的单向导电性得： 图(a)电路：D1截止，VAO= -12V； 图(b)电路：D1导电，D2截止，输出VAO=0V； 图(c)电路：D1截止，D2截止，输出VAO=-9V。 场效应管放大与开关应用举例 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 * 跳转到第一页 * N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体） P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E PN结处载流子的运动 内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结正向偏置 － － － － + + + + 内电场减弱，使扩散加强， 扩散?飘移，正向电流大 空间电荷区变薄 P N + _ 正向电流 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结反向偏置 － － － － + + + + 空间电荷区变厚 N P + _ + + + + － － － － 内电场加强，使扩散停止， 有少量飘移，反向电流很小 反向饱和电流 很小，?A级 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 伏安特性 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。 U I E + - 反向漏电流 （很小，?A级） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Pr