硅单晶制造和质量要求.pptVIP

硅单晶加工及质量要求 * 桂林电子科技大学职业技术学院 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 单晶硅性能测试 测试项目主要包括： 物理性能：单晶体检验、晶向测定 电气性能：导电类型与电阻率测试 缺陷及杂质含量确定 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 物理性能测试—单晶体检验 物理性能测试主要包括外观检验、规格检验和晶向测定 单晶体外表面晶向一致，对光线的反射均匀—外观检验 规格检验：直径与重量测量—是否符合标准 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 物理性能测试—晶向测定 晶向测定方法：腐蚀法 原理：晶体结构的各向异性 同种腐蚀液（如铬酸）中，相同腐蚀时间内，不同晶向原子被腐蚀程度不同，造成在硅晶表面形成的腐蚀坑形状不同。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电气参数测试 单晶体的电气参数主要包括：导电类型、电阻率和非平衡少数载流子寿命等。 导电类型：判断属于N型（电子）或P型（空穴）半导体； 电阻率：测定半导体材料的导电性能； 非平衡少数载流子寿命：少子寿命 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 导电类型测试-热探针法 原理： 利用冷、热探针与材料接触时，热探针激发产生电子-空穴对；多数载流子在两探针间存在浓度差并向冷探针附近扩散；探针间形成电位差。产生的电流流经光点检测计，引起检测计偏转，依据偏转方向 可判断材料类型。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电阻率测试 电阻率是反映半导体材料导电性能的重要参数，根据测量半导体电阻率可求得半导体材料的载流子浓度，进而计算材料的杂质浓度。 基本测量方法： 两探针法、四探针法等。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电阻率测试—两探针法 作用原理：试样两端接直流电源，引出线与试样之间保持欧姆接触特性，电流回路上串接标准电阻Rs，用电位差计测量电阻上的电压降，计算流过试样的电流，然后用两个靠弹簧压紧的探针在试样长度方向上测量某两点的电压降Vr，并测出两点之间的距离L，可求得样品电阻率。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电阻率测试—四探针法 作用原理：试样接直流电源，采用四根探针与被测样品形成欧姆接触，在探针1和4间通电流I1-4，探针2与3之间形成电位差V2-3，计算可得样品的电阻率。C为修正因子，取决于探针排列方法与针距。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 非平衡少数载流子寿命测试 半导体材料内运动的电子、空穴处于产生和复合的动态平衡过程，采用光照或离子注入等外界干扰影响材料时，平衡状态被打破，引入的多余电子或空穴对导致出现非平衡状态。引入的电子、空穴对就称为非平衡载流子。 非平衡载流子寿命