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半导体存储器 主要内容 引言 半导体存储器的主要指标和类型 几种半导体存储器的工作原理 浮栅存储器的失效表征 浮栅存储器的可靠性问题 浮栅存储器的失效机理 存储器的产生及发展 1967年 Kahng、S. Sze ——非挥发存储器 1968年 Dennard——单晶体管DRAM 1971年 第一个浮栅器件问世 1987年 Flash存储器提出 1993年 16Mb flash EEPROM 问世 引言 什么是存储器？ 存储器是一种能存放数据程序的部件。它必须具备的基本功能就是保存所读入的代码，在需要时可以取出(读出)。 存储器不仅是各种电子数字计算机的主要组成部分，也为其他电子技术广泛采用。 半导体存储器的应用领域 各型计算机 工程工作站 IC存储卡 通信设施 数字电视 办公设备(如传真机) 家电设备(如CD机) 大多数具有智能性的设备、仪表或部件 半导体存储器的主要指标 存储器的可靠性 在选用存储器时不但要对它的容量和速度，还要对它的功耗、体积、成本和可靠性等指标进行综合考虑。 半导体存储器的分类 双极型存储器 优点：速度快 缺点：功耗大，工艺复杂、成本高而集程度又不够大 MOS型存储器 优点：密度高、容量大、功耗低、成本低 缺点：速度较慢。 RAM(Random Access Memory ) RAM(随机存取存储器): 定义：是以大致相同的高速度实现读出和写入的存储器。 特点：可以随时存取数据，但是一旦断电，保存在其中的数据 就会全部丢失。 RAM一般分为两类： 动态RAM(Dynamic RAM, DRAM) 静态RAM(Static RAM, SRAM) RAM在计算机中常用来存放各种数据、指令和计算的中间结果。由于SRAM的读写速度远快于DRAM，所以PC中SRAM大都作为高速缓存(Cache)使用，DRAM则作为普通的内存和显示内存使用 。 DRAM(Dynamic RAM) DRAM(动态随机存取存储器)： 利用MOS管的栅极电容对电荷的暂存作用来存储信息的。 优点：存储单元元件最少，集成度最高， 功耗小，每位成本也最低。 缺点：需要刷新和对时序有严格的要求。 它的抗干扰能力差。 微细加工和DRAM的集成度逐年进展 SRAM(Static RAM) SRAM(静态随机存取存储器)： SRAM的存储单元由双稳态触发器组成。 优点：状态稳定，可在不断电的情况下长 期保存信号，不需要“刷新”，工作 速度较快 缺点：采用6管而集成度不高，功耗大 其它几种类型的随机存储器结构 组合随机存储器(iRAM) 非易失随机存储器(NVRAM) 视频随机存储器(VRAM) 内容寻址随机存储器(CAM) ROM(Read-Only Memory ) ROM(只读存储器)： 定义：这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。ROM能够高速读出，但不能变更已写入的内容。 无论哪种ROM在切断电源后存储的信息都不会丢失，故称为非挥发性存储器（Nonvolatile Memory）。 优点：结构简单，所以位密度比可读/写存储器高。 具有非易失性，所以可靠性高。 成本低 缺点：一次性制造，不能进行修改 掩模PROM 在制作阶段就把要写入的数据作为掩模图形定制成型，是永久的数据固化了的掩模编程ROM。生产厂家制定，用户不能自己另行写入 PROM(Programmable Read-Only Memory) PROM(可编程只读存储器): 只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器” (One Time Progarmming ROM，OTP-ROM) 特点：PROM一经编程写入，则不能再修改 EPROM(Erasable Programmable ROM) EPROM（UVEPROM）： 指的是“可擦写可编程只读存储器，是电写入且可以用紫外线照射进行擦除的ROM。 优点：具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程。 缺点：擦除需要使用紫外线照射一定的时间，并  且擦洗时，将整个芯片原存的全部信息都 擦去。 EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM) EEPROM（EAPROM）： 指的是“电可擦除可编程只读存储器” 。 优点：可直接用电信号擦除，也可用电信号