“数字逻辑”第3章节门电路.pptVIP

扇入系数越大，门电路同时能接入的的输入信号越多 扇出系数体现了门电路的负载能力——扇出系数越大，门电路的带负载能力越强 在驱动门输入端为低电平时，其输出端为高电平，驱动门提供高电平电流IoH给负载门，假定负载门所需的输入电流为IiH，这时驱动门处于“拉电流”工作状态。则扇出系数等于IoH/IiH 而在低电平输出状态下，驱动门处于“灌电流”工作状态。 扇出系数应等于驱动门的输出电流除以一个负载门所需的输入电流的总和，要注意负载门的输入端数及IiH的含义（一般表示一个输入端所需输入电流，若负载门是反相器，则其输入电流为IiH；若负载门是与非门，则其输入电流为2IiH。） 双极型集成电路——有两种载流子（空穴和自由电子）参与导电 其电路结构包括输入级、中间级和输出级。 “两相驱动”——T2的集电极和发射极分别提供两组信号（一组控制T3、T4的导通或截止，一组控制T5的导通或截止），控制输出级的工作状态（开态和关态） 推拉输出——T4和T5总是处于一只截止、另一只导通的状态，这种结构称为推拉输出级。 （1）关态 当A或B为低电平（Vi=ViL=0.3V）时，电源VCC通过R1使T1的发射结导通, T1处于深饱和状态 T1倒置工作：集电结正偏，发射结反偏——与放大工作时正好相反：发射结正偏，集电结反偏 1mA的基极电流，足以使T2饱和，也使T5饱和——因为IBS一般在0.xmA，若IB=IBS，则晶体管处于饱和导通状态。 VC2=1.0V使T3微导通，有VB4=VC2-VBE3=1-0.7=0.3V，则T4截止 本课程只介绍电压传输特性、电源特性和传输延迟特性 测量电路：输入端并联，接可变稳压电源，输出端接一个电压表。 Vi为低电平时Vo为高电平；Vi为高电平时Vo为低电平 在ab段，T1发射结正偏、集电结正偏，T1深饱和。晶体管深饱和导通时，VCES?0.1V T4导通，T5截止，TTL与非门处于关态。 ② bc段 T2开始导通，处于放大区；T3和T4仍导通。 由于VCC、VBE3、VBE4为常数，所以?Vo=?IC2*R2，同理，?VI=?IE2*R3 ③ cd段 当1.3V?Vi1.5V，T1发射结由正偏变为反偏、集电结仍正偏，T1由深饱和开始转向倒置工作。转折区与线性区（T5 截止）的不同是T5 由截止变为导通。 rbe5为T5的发射结导通电阻。当一个大电阻和一个小电阻并联时，小电阻起主要作用,整个并联电阻也很小。 T4截止，T5饱和导通，TTL与非门处于开态。工作原理参见“开态工作原理” 电路工作在截止区的输出电压，称为输出逻辑高电平VOH，工作在饱和区的输出电压，称为输出逻辑低电平VOL 。 一般要求门电路的输出高电平要大于额定高电平值（3.0V）；输出低电平要低于额定低电平值（0.35V）。 如果输入低电平过高，ViLVoff，则电路不能可靠工作在关态，所以为可靠工作在关态，应有ViLVoff ，Voff又称为输入低电平上限ViLmax；如果输入高电平过低，ViHVon，则电路不能可靠工作在开态，所以为可靠工作在开态，应有ViHVon ， Von又称为输入高电平下限ViHmin 。 阈值电压VTH是转折区中点对应的输入电压，它是截止区和饱和区这两个工作区的分界线。 输入低电平噪声容限即输入低电平的允许范围，输入高电平噪声容限即输入高电平的允许范围。 右图的下图说明，只要输入低电平在VNL范围之内，则输出高电平在典型值3.6V和额定值的90%（即2.7V）之间，电路可靠工作在关态；只要输入高电平在VNH范围之内，则输出低电平在典型值0.3V和额定值（即0.35V）之间，电路可靠工作在开态。 TTL集成电路的VCC=+5V±10﹪——TTL集成电路的电源允许有±10﹪地浮动。 TTL与非门工作在关态和开态时的输出特性是不同的！ （1）关态时的等效电路由一个3.6V的恒压源和一个输出电阻构成，向外部提供由内向外的拉电流负载IOH。IOH越大， 输出VOH越低。一般要求输出高电平不能低于额定输出高电平的90%，即2.7V。 （2）开态时的等效电路由一个0.3V的恒压源和一个输出电阻R’O构成，向外部提供由外向内的灌电流负载IOL。IOL越大， 输出VOL越高。一般要求输出低电平不能高于0.7V。 输入低电平必须小于关门电平Voff（0.8V），否则电路不能可靠工作在关态；输入高电平必须大于开门电平Von（1.8V），否则电路不能可靠工作在开态。 若要求与非门可靠工作在关态，输入负载电阻必须小于Roff；若要求与非门可靠工作在开态，输入负载电阻必须大于Ron。 当RoffRi Ron时——电路不稳定工作——振荡