“模拟电路基捶20090901第一次课.pptVIP

模拟电路基础 课程进度安排 期中考试： （前四章内容） 教材/参考书目/辅导材料 《模拟电路基础》，吴援明 主编，科学出版社。 绪 论 1.1 本课程的研究对象 相关知识 模拟电子电路举例 模拟系统举例 1.2 模拟电子技术的发展及应用 示 波 器 稳压电源 万 用 表 1.3 课程学习内容 1.4 本课程的地位及学习目的 学习基础： 《大学物理》、《电路分析基础》 1.5 本课程的学习方法 本课程衔接性很强，是一环扣一环的，要求一开始就抱一种认真的态度，不要临时抱佛脚。 半导体 导电特性、结构、导电机理 PN结 形成过程、伏安特性、电容特性 晶体二极管 伏安特性、器件参数、二极管模型、 常见应用电路分析、认识几类特殊二极管 本征半导体——化学成分纯净的半导体，在物理结构上呈单晶体形态。 本征激发 本征半导体中的价电子获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位。 空穴 原子因失去一个价电子而带正电，这个带正电的“空位”叫空穴。 载流子复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使自由电子空穴对消失的现象。 杂质半导体 掺入杂质的半导体称为杂质半导体。在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体 P型半导体 杂质半导体的载流子浓度 掺入少量的Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等）后，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 多出一个价电子只能位于共价键之外，成为“自由电子”。 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 掺入少量Ⅲ族元素（如绷、铝和铟等）后，空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 共价键因缺少一个价电子而出现一个“空位”。 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 半导体中某处的扩散电流主要取决于该处载流子的浓度差（即浓度梯度），而与该处的浓度值无关。即扩散电流与载流子在扩散方向上的浓度梯度成正比，浓度差越大，扩散电流也越大。 p --空穴的浓度； Jn 和 Jp 的方向是一致的，均为空穴流动的方向。 --是空穴迁移率 空穴顺电场方向作定向运动，形成空穴电流，空穴的漂移电流密度为： 总的漂移电流密度 （1.8） （1.10） 其中, 是半导体的电导率，与载流子浓度、迁移率有关。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 因载流子浓度差而产生的载流子宏观定向运动形成的电流。 2. 扩散电流 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N型硅半导体 n0 ≈ p0 n(x) p(x) 0 x Jd=Jpd+Jnd dp(x) Jpd=－qDp dx dn(x) dn(x) Jnd=－（－q）Dn =qDn dx dx 由扩散运动产生的扩散电流是半导体区别于导体的一种特有的电流. 扩散电流： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile