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问题:太阳能电池应选用什么材料

太阳的结构如下图所示。在太阳平均半径23%(0.23R)的区域内事太阳的内核,其温度约为8×~4×K,密度为水的80~100倍,占太阳全部质量的40%,总体积的15%。这部分产生的能量占太阳总能量的90%。氢聚合时放出射线,当它经过较冷区域时由于消耗能量,波长增长,变成射线或紫外线及可见光。从0.23~0.7R的区域称为“辐射输能区”,温度降到1.3×K,密度下降到g/。太阳的外部是一个光球层,它就是人们肉眼所看到的太阳表面,其温度为5762K,厚约500km,密度为g/,它是由强烈电离的气体组成,而且几乎是透明的太阳大气,称之为“反变层”,它是由极稀薄的气体组成,厚约数百公里,它能吸收某些可见光的光谱辐射。“反变层”的外面是太阳大气上层,称之为“色球层”,厚约1~1.5×km,大部分由氢和氦组成。“色球层”外是伸入太空的银白色日冕,温度高达1百万度,高度有时达几十个太阳半径。 太阳辐射的光谱可以划分为几个阶段。波长短于0.4微米的称为紫外波段,从0.4微米到0.75微米的称为可见光波段,而波长长于0.75微米的则称为红外波段,它还可以细分为近红外0.75-25微米和远红外25-1000微米两个波段。在可见光谱的波长范围内,不同波长的电磁辐射对于人眼产生不同的颜色感觉。 用辐射能量作为纵坐标、辐射波长作为横坐标所绘制的曲线称为太阳光谱的能量分布曲线。从图中可以看出,尽管太阳辐射的波长范围很宽,但绝大部分的能量却集中在0.22-4微米的波段内,占总能量的99%。其中可见光波段约占43%,红外波段约占48.3%,紫外波段约占8.7%。而能量分布最大值所对应的波长则是0.475微米,属于蓝色光。 制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础固体材料按其导电能力强弱,分为超导体、导体、绝缘体和半导体四类。导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,叫做半导体。半导体的电阻率大约在10的-5次方~10的7次方欧姆米,如锗、硅、砷化镓、硫化镉等。众 所周知,原子是由原子核及其周围的电子构成的,一些电子脱离原子核的束缚,能够自由运动时,称为自由电子。金属之所以容易导电,是因为在金属体内有大量能 够自由运动的电子,在电场的作用下,这些电子有规则地沿着电场的相反方向流动,形成了电流。在常温下,绝缘体内仅有极少量的自由电子,因此对外不呈现导电 性。半导体内有少量的自由电子,在一些特定条件下才能导电。特性:电阻率的变化受杂质含量影响极大,且所含杂质不同,导电类型也不同。在半导体里掺入微量的杂质,就可以引起电阻率很大的变化,例如在纯硅中掺入百万分之一的硼,硅的电阻率就从2.14 103??m减小到0.004??m左右。电阻率受光和热等外界条件的影响很大。温度升高或光照时,均可使半导体材料的电阻率迅速下降。一些特殊的半导体在电场或磁场作用下,其电阻率也会发生变化。如果用适当波长的光照射半导体,那么电子在吸收了光子后将由价带跃迁到导带,而在价带上留下一个空穴,这种现象称为光吸收要发生光吸收必须满足能量守恒定律,也就是被吸收光子的能量要大于禁带宽度 Eg,即 hν≥Eg(1)其中 h 是普朗克常量,ν 是光的频率若光子能量小于禁带宽度,则光不能被吸收,而透射过晶体,这时晶体是透明的例如食盐(NaCl)晶体它的禁带宽度很大,约有 10eV,所有光都能透射过去,因此它是透明的而半导体晶体的禁带宽度在 1eV 左右,例如硅的禁带宽度是1.1eV,砷化镓的禁带宽度是1.4eV由式(1)可算出吸收光的波长(λ=c/ν,c是光速)分别为1.127μm 和0.885μm,属于红外光范围凡波长比上述波长短的光,即可见光都将被吸收,因此它们都是不透明的电子被光激发到导带而在价带中留下一个空穴, 这种状态是不稳定的,由此产生的电子、空穴称为非平衡载流子隔了一定时间后,电子将会从导带跃迁回价带,同时发射出一个光子光子的能量也由式(1决定,这种现象称为光发射光发射现象有许多的应用,如半导体激光器都是利用光发射原理制成的,只不过其中非平衡载流子不是由光导体发光管、激发产生,而是由电注入产生的发光管、激光器发射光的波长主要由所用材料的禁带宽度决定,如半导体红色发光管是由GaP 晶体制成,而光纤通讯用的长波长(1.5μm)激光器则是由GaxIn1-xAs 或GaxIn1-x AsyP1-y合金制成的不是所有的半导体都能发射光例如:最常见的半导体硅和锗就不能发射光,这是由它 们的能带性质所决定的它们的能带称为间接能带,电子从导带通过发射光跃迁到价带的几率非常小,而只能通过其它方式,如同时发射一个声子跃迁至价带因此硅和锗这两种在微 电子器件中已得到广泛应用的材料, 却不能用作光电子材料其它的-Ⅴ族化合物, GaAs、如InP 等的能带大部分是直接能带,能发射光,因此被广泛用来制作发光管和激光

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