集成电路IC压印制造用光固化刻蚀胶的研究.pdfVIP

2005年中国科协学术年会论文集 集成电路(I C)压印制造用光固化刻蚀胶的研究 段玉岗丁玉成 卢秉恒 (西安交通大学先进制造技术研究所，西安，710049) 关键词：压印 阳离子光固化刻蚀胶 压印刻蚀技术(IL—Imprint Lithography)最早由美国明尼苏达大学于90年代中期提出。由于 当时光学刻蚀技术的发展尚未遇到难于克服的技术瓶颈，该技术未被广泛重视。但近年来，由于现 行光学刻蚀技术设备和IC生产线向高分辨率技术节点延伸所需的投资越来越高，而且以下一代光刻 技术NGL(Next Generation Lithography)技术为基础的IC生产线的投资将会更高，学术界和：工业界 又重新对压印刻蚀技术寄以希望，认为IL可能成为NGL中最具价格优势的工艺技术路线¨。41。 本文介绍一种新的软压印常温成形光固化刻蚀技术。文章主要研究了压印刻蚀用光固化刻蚀胶 及压印工艺、以及刻蚀胶对压印质量的影响。 一、集成电路芯片(1C)压印刻蚀原理 基于压印光固化刻蚀技术集成电路芯片(IC)制造的工艺流程如下图所示： 硅片前处理卜_——叫旋涂光固化刻蚀胶 石英衬底硅胶模板 压印 有光固化刻蚀胶的硅片 清洗光固化刻蚀胶 单层集成电路 图1 压印光圃刻蚀法制作集成电路芯片工艺流程示意图 整个工艺过程简单叙述如下： (1)电子束直写单个芯片图形，直接刻蚀成原始母板。原始母板制作的主要功能是