奈米材料檢測技術期末報告利用石墨烯奈米碳.ppt

指導老師: 王聖彰 老師 班級:奈米四甲 學號姓名:龔家一 一、摘要 二、實驗方法 三、結果與討論 四、結論 可撓性光電元件為近年科技研發的矚目重點，高傳導性的銦錫氧化物(ITO)是光電元件透明電極的一般常用材料，然而銦錫材料的短缺、複雜的製備過程及較差的機械撓曲能力，相較之下，石墨烯分子則是由單層碳原子所組成，且石墨烯分子具有絕佳的光學及電性表現。 一般來說，石墨烯的功函數大約介在5.0~5.2 eV之間。然而如此高的功函數在有機光電元件當中，只能應用於幫助電洞注入的陽極 本研究利用化學法開發出一種合成石墨烯/奈米碳管複合材料，同時可以自由調變石墨烯/奈米碳管複合材料之功函數，結果顯示利用鹼金屬碳酸鹽類掺雜於石墨烯/奈米碳管複合材料當中，可以有效地調節石墨烯/奈米碳管複合材料之函數，依據不同的鹼金屬碳酸鹽類的摻雜，發現功函數可從5.1降低至3.4 eV。 利用Hummer方法將石墨在強氧化劑的環境之下反應成氧化石墨烯。將石墨、NaNO3 和H2SO4在冰浴的情況下攪拌均勻，之後緩緩加入KMnO4 並且在室溫底下攪拌一小時。之後再加入80ml的水並且將反應物之溫度提高至90 oC持溫一小時。將反應物加入30%的H2O2。最後將沉澱物過濾得到之固體在經過反覆地清洗，最後得到氧化石墨烯產物。 太陽能電池元件的部分，首先將透明導電玻璃利用蝕刻方法圖樣畫並經過適當清洗，之後將PEDOT:PSS旋塗於電極之上，同時經過150 oC之溫度烘烤一小時後，將主動層旋塗於經修飾之透明電極上，最後將鈣和鋁以熱蒸鍍方法鍍於主動層上面。 薄膜之穿透度利用紫外-可見光吸收光譜量測，表面形貌的部分則利用原子力顯微鏡(AFM) 、掃描式電子顯微鏡(SEM)以及穿透式電子顯微鏡觀察(TEM)。化學組成以及分布則利用X- 射線光電子能譜儀(XPS) 以及能量分析(EDS)分析。 氧化石墨烯為單原子層之分布(圖1a)，而奈米碳管具有嚴重的聚集現象(圖1b)。 由於氧化石墨烯具備親水性與親油性之官能基，因此再添加奈米碳管時，氧化石墨烯可具有類似界面活性劑之功能來分散奈米碳管。同時由於奈米碳管與石墨烯的表面可藉由π-π鍵之作用，使得奈米碳管與石墨烯的表面緊密地結合(圖1c-d)。 如此可以使奈米碳管均勻地分散於石墨烯當中，同時可幫助整體複合膜之導電性。 氧化石墨烯薄膜之厚度與寬度分別約為1-3 nm以及1-7 μm，推測約為1-3層的石墨烯堆疊所造成;而奈米碳管由於自身聚集之現象使得表面平均粗糙度高達35 nm。 當利用石墨烯來分散奈米碳管後，其平均粗糙度可降低至5 nm。 此結果顯示石墨烯的確可以扮演一介面活性劑之角色用以分散奈米碳管。 為了探討此材料於透明電極之應用性，量測了此材料之穿透度以及偏電阻與層數之間的關係。 在波長550 nm之光源量測下，基板穿透度隨材料度膜層數增加而減少，層數1-5層時，穿透強度自88.8%下降至58.7%；而在電阻特性表現上，奈米碳管可有效降低石墨烯材料之電阻。 實驗結果顯示，當複合膜之層數為五層時其片電阻可由954(一層)降至254 ?/sq。 經由不同碳酸鹽類之摻雜後，石墨烯/奈米碳管複合材料之功函數變化情形，發現當經過碳酸鍶之摻雜以後此複合材料之功函數可以由原本的5.2 eV下降至3.4 eV。 此結果顯示，將可利用此方法調整石墨烯導電薄膜之功函數。 研究經過碳酸銫(Cs2CO3) 摻雜之石墨烯/奈米碳管之表現形貌與元素分佈與表面型態。 銫原子均勻分佈於還原石墨烯(rGO)材料基底層與奈米碳管周圍；原子力顯微鏡(AFM)影像顯示奈米碳管在摻雜碳酸銫後，其厚度增加且石墨烯薄膜表面覆蓋了一層碳酸銫薄膜。 當石墨烯經過碳酸銫之摻雜以後所製作之倒置太陽能電池可獲得最高之光電流與電壓，此結果代表經過鹼金族碳酸鹽類之摻雜以後，因為功函數下降之關係使得電子更容易傳導。 為了進一步探討石墨烯/奈米碳管複合膜之功函數變化機制，分析了經過碳酸銫摻雜的石墨烯於不同退火溫度下之XPS以及UPS圖譜。 經過摻雜之石墨烯薄膜必須要在200 oC以上退火時，其功函數才可以由4.9降低至3.4eV。此結果表示經過高溫退火之後，所摻雜之碳酸銫可能發生某種化學反應導致功函數之下降。 因此針對不同退火溫度之下觀察其XPS 之結果，發現當退火溫度逐漸升高至250 oC時，碳酸銫被高溫分解為各種價態之氧化銫(Cs2O 、Cs2O2、 CsO2)。 測試透明電極之可撓性分別對於氧化銦錫與混合石墨烯/奈米碳管於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上，比較其彎折角度相對應之基板電阻值。 顯示石墨烯/奈米碳管相較於氧化銦錫具有較佳的可撓性，其