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第四章 光源与光电探测器 §4.1 光电信息技术中常用的光源 §4.1 光电信息技术中常用的光源 一切能产生光辐射的辐射源，无论是天然的，还是人造的，都称为光源。天然光源是自然界中存在的，如太阳、恒星等，在天文学电探测中，常常会遇到这些光辐射的测量。人造光源是人为将各种形式能量（热能、电能、化学能）转化成光辐射能的器件，其中利用电能产生光辐射的器件称为电光源。在一般光电测量系统中，电光源是最常见的光源。 4.1.1 光源的基本特性参数 1. 辐射效率和发光效率 在给定波长范围内，某一光源发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率之比，称为该光源在规定光谱范围内的辐射效率，于是 光源的基本特性参数 光源的基本特性参数 光源的基本特性参数 光源的基本特性参数 光源的基本特性参数 光源的基本特性参数 光源的基本特性参数 热辐射源 热辐射源 热辐射源 热辐射源 热辐射源 热辐射源 气体放电光源 气体放电光源 气体放电光源 气体放电光源 气体放电光源 气体放电光源 气体放电光源 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 发光二极管 激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 表4－4 半导体激光器的材料及波长 §4.2 光电探测器的性能参数与噪声 光电探测器是一种辐射能转换器件，是利用物质的光电效应把光辐射信号转换成电信号的器件。是光电信息技术中最重要的器件。 4.2.1 光电探测器的性能参数 响应度 （或称灵敏度），响应度是光电探测器输出信号与输入辐射功率之间关系的度量。描述的是光电探测器的光－电转换效能。 §4.3 光子探测器 光电探测器通常分为2类: (1)光子探测器（利用各种光子效应）；（2）热探测器（利用温度变化效应）。 光子效应：光电子发射、光电导、光生伏特、光电磁等。 光热效应：温差电、电阻率变化、自发极化强度变化、气体体积和压强变化等。 基于光电子发射效应的器件在吸收了大于红外波长的光子能量以后，器件材料中的电子能逸出材料表面，这各种器件称为外光电效应器件。 基于光电导、光伏特和光电磁效应的器件，在吸收了大于红外波长的光子能量以后，器件材料中出现光生自由电子和空穴，这种器件称为内光电效应器件。 4.3.1 光电子发射探测器 应用光电子发射效应制成的光电探测器称为光电子发射探测器。 图4－39 不同工作温度下InSb光电导探测器的光谱特性 (7) InSb光伏探测器。InSb材料既可作光电导探测器，也可制成P－N结光伏探测器。常以P型层表面作光照面，产生的少数载流子是电子，具有较大的迁移率和扩散长度，这样可以使大多数的光生少数载流子扩散到PN结而形成光生电动势，因而可使灵敏度较高。是在3～5um波段内常用的高性能红外探测器。 （8）HGCdTe光伏探测器。近20年来在红外探测器方面最卓越约成绩是HgCdTe探测器的研制成功及投入使用。和光电导型HgCdTe一样，可采用半导体合金法将化合物CdTe和HgTe合成Hg1－xCdxTe合金。若在P型HgCdTe中将Hg扩散进去，表面将形成N型层，从而构成PN结，改变组份x就可以改变HgCdTe探测器的工作波段。 （9）长波长红外焦平面阵列。随着军事和遥感遥测科学的发展，对由大量单元红外探测器构成的高密度焦平面阵列的要求日益迫切，尤其使8～14μm的长波长红外波段的探测器对接近景物的目标最为敏感，因此一直是红外焦平面阵列研究的主要方向之一。 期望能利用成熟的工艺制作、波长可调，并可将探测器与信号处理及读出电路集成在同一芯片上的大面积长波红外焦平面阵列。此概念20世纪70年代提出，80年代分子束外延和金属有机化学汽相淀积等工艺的发展，才成功地生长出能制作长波红外探测器所必须的异质结 GexSi1-x/Si等伪合金及GexSi1-x-GexSi1-x/Si异质结内光发射的长波红外探测器阵列。 §4.4 热探测器 热探测器对辐射的响应和光子探测器不同。它基于材料吸收了光辐射能量以后温度升高的现象，这一现象称为光热效应，光热效应的特点是入射光辐射与物质中的晶格相互作用，晶格因吸收光能而增加振动能量，这与光子将能量直接转移给电子的光电效应有本质的不同。光热效应与入射的光子的性质没有关系，取决于入射辐射功率而与入射辐射的光谱成分无关，即对入射辐射的响应无波长选择性。 光热效应可以产生温差电效应、电阻率