第1章晶体管及其电路.ppt

第 1 章 晶体二极管及其电路  第1章 晶体管及其电路 1.1 半导体的基础知识 1.2 PN结与晶体二极管 1.3 特殊二极管 返回主目录 1.1 半导体的基础知识 物质按其导电能力可分为导体、 绝缘体和半导体 3 种。 通常人们把容易导电的物质称为导体, 如金、银、铜等; 把在正常情况下很难导电的物质称为绝缘体, 如陶瓷、云母、塑料、 橡胶等; 把导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体, 如硅和锗。导体、半导体和绝缘体的划分, 严格地说是以物质的电阻率ρ的大小来确定的。 电阻率小于10-3Ω·cm的称为导体; 电阻率大于108Ω·cm的称为绝缘体; 其电阻率介于导体的和绝缘体的之间的物质称为半导体。 (1) 热敏性: 一些半导体对温度的反应很灵敏, 其电阻率随着温度的上升而明显地下降, 利用这种特性很容易制成各种热敏元件, 如热敏电阻、 温度传感器等。  (2) 光敏性: 有些半导体的电阻率随着光照的增强而明显地下降, 利用这种特性可以做成各种光敏元件, 如光敏电阻和光电管等。  (3) 掺杂性: 半导体的电阻率受掺入的“杂质”影响极大, 在半导体中即使掺入的杂质十分微量, 也能使其电阻率大大地下降, 利用这种独特的性质可以制成各种各样的晶体管器件。  半导体为什么会具有上述特性呢？要回答这个问题, 必须研究半导体的内部结构。  1.1.1本征半导体 本征半导体是指纯净的、 不含杂质的半导体。 在近代电子学中, 用得最多的半导体是硅和锗, 它们的原子结构示意图如图1 - 1所示。由图可知硅和锗的外层电子都是4个, 外层电子受原子核的束缚力最小, 称为价电子, 物质的导电性与价电子数有很大关系。有几个价电子就称为几价元素, 硅和锗都是四价元素。  在导体中, 由于金属物质的原子其外层电子离原子核较远, 受原子核的吸引力就很小, 因此有大量的电子能挣脱原子核的束缚而成为自由电子, 这就是为什么导体具有良好导电能力的原因在绝缘体中, 图 1 - 1 原子结构示意图 (a) 硅; (b) 锗 其外层电子离原子核较近, 受原子核的束缚力很大, 几乎没有自由电子存在, 因此它不导电, 即绝缘体在正常情况下是绝缘的。 在特定条件下, 例如在绝缘体两端加上特别高的电压, 把外层电子硬“拉”出来, 这时绝缘体就变成了导体, 这种现象称为击穿。  在硅和锗等半导体材料中, 内部原子排列是有规律的, 即为晶体结构。 晶体硅(或锗)的原子排列示意图如图1 - 2(a)所示。 每个硅原子受邻近 4 个原子的束缚, 组成 4 个共价键。共价键像纽带一样将排列整齐的原子连结起来, 如图(b)所示。 图 1 -2 硅晶体结构和共价键结构示意图  (a) 硅晶体结构; (b) 共价键结构 在热力学温度零度(0 K＝-273℃)时, 价电子无法挣脱共价键的束缚, 因此本征半导体中没有自由电子, 此时半导体相当于绝缘体。但在常温下, 少量价电子受热激发获得足够的能量, 挣脱了共价键的束缚而成为自由电子, 如图1 - 2(b)中价电子A。 同时, 在原来共价键的位置上留下一个空位, 称为空穴。 在外加电场或其它能源的作用下, 邻近价电子就可填补到这个空位上, 而在这个电子原来的位置上又留下新的空位, 以后其他电子又可转移到新空位上, 因此空穴能参与导电。空穴是由于失去一个电子而形成的, 空穴可以看成带正电的导电粒子。 可见, 在热激发下, 本征半导体中存在两种能参与导电的载运电荷的粒子——载流子: 成对的电子和空穴。 因此, 在常温下, 本征半导体不再是绝缘体了, 但常温下由热激发产生的电子—空穴对的数量是很少的, 这就是为什么本征半导体导电能力很差的原因。  需要指出, 由热激发产生的自由电子, 也会释放能量返回到附近的空穴, 这种现象称为复合。  除了上面讨论的热激发以外, 也可利用光照进行激发。 热激发和光激发统称为本征激发。  在本征半导体中, 随着温度的升高或光照的增强, 电子—空穴对的数量将大大增加, 导电能力将大大提高, 这就是半导体具有热敏性和光敏性的基本原理。 1.1.2杂质半导体 杂质半导体是指在本征半导体中掺入了微量其它元素(称为杂质)的半导体。杂质的掺入可以使半导体的导电性能发生显著的变化。根据掺入的杂质不同, 杂质半导体可分为N型(电子)半导体和