EMCTESTSEquIpMENTSCaTalOguEIEC61000-4-5Ed.2的试验标准.pdfVIP

E M C T E S T S E q u I p M E N T S C a T a l O g u E 59h t t p : / / c n . n o i s e k e n . c o m Lightning Surge LSS 评价电子产品对于由于开关切换，以及雷击引起的过电压而产生的浪涌的误动作。规定了假设向电源线、信号线施加 的组合波（1.2/50μs）和假设向电话线路等施加的组合波（10/700μs电压波形 5/320μs电流波形）2种波形。 并不是评价耐高压EUT的绝缘性能和考量直接电击的标准。 等级… 开路试验电压±10%…(kV) 1… 0.5 2… 1.0 3… 2.0 4… 4.0 5… 特殊 U 高压电源 Rc 充电电阻 Cc 储能电容 Rs 脉冲宽度形成电阻 Rm 阻抗整合电阻 Lr 上升时间形成电感 Cc Rc Rm Rs1 Rs2 Lr U U 高压电源 Rc 充电电阻 Cc 储能电容（20μF） Rs 脉冲宽度形成电阻（50Ω） Rm 阻抗整合电阻（Rm1=15Ω：Rm2=25Ω） Cs 上升时间形成电感（0.2μF） S1 外部整合电阻使用时的开关 Cc Cs Rc Rm1 Rm2 S1 Rs U ■电流浪涌（8/20μs） 波头时间：T1=1.67×T=1.2μs ±30% 半峰值时间：T2=50μs ±20% T1 T2 T t30% max. 0.0 0.3 0.5 0.9 U 1.0 A B 波头时间：T1=1.67×T=1.2μs ±30% 半峰值时间：T2=700μs ±20% T1 T2 T t 0.0 0.3 0.5 0.9 U 1.0 A B ■电流浪涌（5/320μs） 波头时间：T1=1.25×T=5μs±20% 半峰值时间：T2=320μs±20% T1 T2 T B C t30% max. 0.0 0.3 0.1 0.5 0.9 U 1.0 1.0 I/Imax O1 T2 T2 T t 0.9 0.5 0.1 0.0 波头时间：T1=1.25×T=5μs±20% 半峰值时间：T2=320μs±20% ■1.2/50 组合波波形(1.2/50、8/20μs)产生电路 ■电压浪涌（1.2/50μs） ■10/700组合波波形(10/700、5/320μs)产生电路 ■电压浪涌（10/700μs） 1. 一般事项 2. 试验等级 3. 试验用发生器及波形的验证 *…×是开放等级，由制造商和用户协商设定 IEC61000-4-5 Ed.2的试验标准 60 h t t p : / / c n . n o i s e k e n . c o m Lightning Surge LSS 开路状态的浪涌电压参数…… 耦合阻抗 … 18μF… 9μF…+…10Ω 波头长… 1.2μs…±…30%… 1.2μs…±…30% 半峰值时间… … 额定电流＜25A…… 50μs…+10μs/10μs…… 50μs…+10μs/25μs 额定电流…25A～60A…… 50μs…+10μs/15μs…… 50μs…+10μs/30μs 额定电流…60A～100A…… 50μs…+10μs/20μs…… 50μs…+10μs/35μs 备注…浪涌电压参数的设定，希望在耦合/去耦电路的电源输入端口开时进行。 耦合 / 去耦电路的 EUT 端口的电压波形规格 短路状态的浪涌电流参数… 耦合阻抗 … 18μF… 9…μF…+…10Ω 波头长…… 8…μs…±…20…%…… 2,5…μs…±…30…% 半峰值时间… 20…μs…±…20…%… 25…μs…±…30…% 备注…浪涌电流参数的设定，希望在耦合/去耦电路的电源输入端口开时进行。 耦合 / 去耦电路的 EUT 端口的电流波形规格 ■对电源线的施加连接图 ■对电话回线和电源线施加连接图 把IEC61000-4-5标准里记载的 1.2/50 综合波（C/W) 通过 LSS-F02耦合网络施加到PC驱动用电源线上。根据规格对 EUT输出是采用浮动电路。 在LSS-F02系列产品中，如左记连接状态，使用编程功能， 进行自动化测试。 把IEC61000-4-5标准里记载的 1.2/50 综合波（C/W) 和通 信（10/700 C/W)浪涌，通过LSS-F02的耦合网络施加到传 真机电源线和电话线上。 在LSS-F02系列产品中，如左记连接状态，使用编程功能， 进行自动化测试。 4. 测试配置图 木制桌 被测物 浪涌输出 电源线输出 隔离变压器 AC PE 雷击浪涌试验器 浪涌输出 电源线输出 隔离变压器 木制桌 AC PE 雷击浪涌试验器 通信线输出 被测物 *…上述试验配置是利用弊公司浪涌试验器的配置。 … 标准上市没有对试验配置的规定 E