CVD的原理与工艺研讨.ppt

第七章 化学气相淀积 * 桂林电子科技大学职业技术学院 膜淀积 集成电路制造过程中，常需要在衬底上生长固体材料层； 若固体膜三维尺寸中，某一维尺寸（通常指厚度）远远小于另外两维上的尺寸，称为薄膜，通常描述薄膜厚度的单位是埃。 薄膜淀积：任何在硅片衬底上物理沉淀聚积一层薄膜的工艺。 薄膜特性 硅片加工中可接受的膜必须具备一定特性：台阶覆盖能力、深宽比间隙填充能力、厚度均匀性、可控化学剂量、膜纯度与密度、膜应力、电学特性与粘附性等。 深宽比间隙填充能力 深宽比用于描述小间隙尺寸，高宽深比的膜淀积容易产生夹断或空洞，因此进行无空洞、均匀填充是薄膜淀积工艺的重点。 其他性质 厚度均匀性：需淀积处薄膜的厚度均匀一致性，薄膜厚度影响材料电阻，进而影响器件电特性； 可控化学剂量：化学反应处于动态平衡状态，反应式两端参与反应物质的量决定了淀积所得膜组分； 膜纯度和密度：纯度和密度决定影响膜质量的化学元素或原子的多少和膜层中针孔或空洞多少； 膜应力往往会导致硅片变形，造成膜的开裂与分层等；膜的电特性和粘附性对器件可靠性和膜层质量有重要影响。 薄膜生长步骤 膜淀积过程有三个不同阶段： 第一步，晶核的形成：成束的稳定小晶核； 第二步，聚集成束—岛生长：岛束沿随机方向生长； 第三步，形成连续的膜：岛束汇集并延伸铺展； 膜淀积技术