積體電路介紹.doc

積體電路介紹 積體電路（英語：integrated circuit， 也稱為 IC、 microcircuit、 microchip、 silicon chip、 或 chip）是將各種電路組件包括電阻、電容及電晶體集積連接於半導體表面而形成的電路。積體電路自 1960年代問世以來，一直朝組件微小化 ; 製作大型化發展，一方面可增進元件工作的速度，一方面可降低製作成本。在電子學中是一種小型化的電路（主要包括半導體設備，也包括被動元件），製造在半導體晶圓表面上 積體電路的演進 1960 小型積體電路 SSI Small-Scale Integration 每個晶片上元件數目， 少於100個。 1966 中型積體電路 MSI Medium-Scale Integration 每個晶片上的元件數目 ，多於100個，但少於 1000個。 1969 大型積體電路 LSI Large-Scale Integration 每個晶片上的元件數目 ，多於1000個而少於 10000個。 1975 超大型積體電路 VLSI Very-large-scale integration 每個晶片上的元件數目， 多於10000個而少於 100000個。 1990 特大型積體電路 ULSI Ultra-Large-Scale Integration 每個晶片上的元件數目， 多於100000個。 積體電路製程最重要的步驟，有以下七項: 1.單晶成長 2.生成矽晶薄膜 3.生成絕緣層 4.微影蝕刻形成電路圖形 5.摻入電活性雜質及熱處理 6.製作金屬接面及連線 7.切片與構裝 1.單晶成長 矽單晶通常以柴氏法或浮區法成長。目前矽單晶成長技術已相當成熟，可長成一米長，直徑二十公分的龐大晶體。其純度可達到每十億矽原子中僅含一個雜質原子，而晶體中幾乎全無缺陷。 長成的圓柱形矽晶棒首先經切割成晶片。晶片的厚度選取隨其直徑增加而增加，一般約數百微米。切割好的晶片再經機械研磨及化學侵蝕，將表面磨平，即成為積體電路基底的晶元。 2.生成矽晶薄膜 磊晶矽薄膜的純度高、缺陷少、性質佳，但其製程溫度最高、難度最高，因此在元件應用上有其限制，一般用在積體電路製程最前段。複晶矽薄膜則在積體電路中應用極廣，這要歸功於其製程溫度較低，耐高溫，與二氧化矽界面特性佳，可靠度好，而且能均勻覆蓋不平坦的結構。至於非晶矽薄膜缺陷多，一般用於對缺陷較不敏感元件，例如太陽能電池。 3.生成絕緣層 處理晶元的最先步驟，通常為在矽晶上成長二氧化矽絕緣層。二氧化矽可由矽晶在氧化氣氛中加熱生成。依需要氧化氣氛可為氧氣或水蒸氣。而加熱溫度則在攝氏900一1000度間。加熱時間則由所需氧化層厚度決定。 氧化層可用於製成積體電路圖形，摻入電活性雜質之障、保護層及閘極介電質等。在某些製程中也用到氮化矽 ( Si3N4)的絕緣層。氧化矽及氮化矽均可由化學氣相沉積法生成。 4.微影蝕刻形成電路圖形 在半導體面形成積體電路所需的圖形，通常要用微影蝕刻方法 ;而蝕刻方法分為乾蝕刻與濕蝕刻兩種。 乾蝕刻是利用離子束清除未受光阻保護區域的材料方法，其優點在不等向蝕刻性較高，而光阻也可以氧化法清除。在積體電路製作步驟中，蝕刻形成圖形為必經步驟，較複雜的積體電路，利用光罩形成圖形的次數也就越多。 5.摻入電活性雜質及熱處理 矽晶中一般均須加入電活性雜質原子(如三價的硼，五價的砷或磷 ) ，來控制半導體的電流，形成正、負接面電晶體。摻入雜質方法包括擴散法及離子佈植法。離子佈植法因在雜質濃度、縱深分佈及純度控制方面遠較擴散法優越，在大型積體電路製作上已被廣泛應用。其方法是利用加速器將高能量離子植入矽晶表面中。 因高能量離子常會破壞矽晶表面晶體結構，造成輻射損傷，生成各種缺陷。生成的缺陷對矽晶電性往往有不良的影響，因此在離子佈植後必須有一段熱處理的步驟，去除晶體中的缺陷或減低精密度。 熱處理後佈植之離子於擴散重新分布 熱處理溫度一般在攝氏1100度以下。時間則視消除缺陷及雜質分佈的需要而定。 6.製作金屬接面及連線 在積體電路中各電路元件，通常由導線連絡。這些導線除在接面地區外，通常與矽晶基底有一絕緣層間隔。 導電層也用於電晶體接觸及金氧半電晶體閘極之電極導體接觸及閘極電極，一般要求導電性好即電阻低。在元件尺寸較大時，均利用鋁膜，但鋁薄與矽晶反應過強，所以閘極電極多改用低阻值的多晶矽或金屬與矽的化合物(金屬矽化物)與多晶矽，接觸則改用金屬矽化物。在大型積體電路中，金屬矽化物應用甚為普遍。金屬矽化物常由在矽晶上沉積金屬或金屬-矽薄膜再經熱處理形成。 為防止鋁連線與矽化物作用，在其中常沉積一層擴散阻絕層，如鈦化鎢