PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究.pdfVIP

第19卷 第2期 无机材料学报 Vol 19，No 2 2004年3月 Journal of Inorganic Materials Mar．2004 文章编号：i000—324X(2004)02—0354—07 PZT铁电薄膜Sol—Gel技术制备和电性能研究 夏冬林1，刘梅冬2，赵修建1，周学东1 (1．武汉理I大学硅酸盐材料I程教育部重点实验室，武汉430070；2华中科技大 学电子科学与技术系，武汉430074) 摘要：以乙酸铅(Pb(CHaOOO)2 3ti20)、钛酸四丁酯(Ti(OC4Hg)4)、硝酸锆(Zr(N03)4 5H20) 替代锆醇盐为原料，通过在Pt／Ti／SiO=／Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层，采用改进的s01一 gel工艺制备出无裂纹，致密性好，晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙蚀矿结构的Pb(Zro,53Tio一-)03 铁电薄膜．实验结果表明，具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好．经600。C热处理的具 有PT种子层的PZT薄膜，在lkHz测试频率F．其剩余极化强度和矫顽场分别为20#C／cm2 和59kV／cm，介电常数和介电损耗分别为385和o 030 关键词：钴钛酸铅(PZT)薄膜：PT种子层，sol-gel法；快速热处理；电滞回线；，一v 特性 中圉分类号：TQ 174，TB 43 文献标识码：A 1引言 利用s01．gel技术制备铁电薄膜，国外都是采用相应的醇盐为原材料[1“41，而国内缺少这 类产品．本文以锆的无机盐一硝酸锆替代锆的醇盐作为锆源，铁电薄膜中其它组分原材料则 采用另外有机盐或无机盐取代，采用改进的sol—gel技术，仅用一种醇盐来制备铁电薄膜． 这不仅解决了原材料的国产化阿题，而且有利于控制水解、聚合反应速度，还有利于制备 高质量铁电薄膜．研制出稳定性好，能保存一年以上的PZT和PT的sol，这也简化了制备 工艺，保证了薄膜组分的一致性，提高了铁电薄膜性能重复性，也有利于产业化． 薄膜的生长强烈地受到膜、种子层和基片材料的晶格参数的影响，种子层在薄膜外延 生长中起重要的作用．钛酸铅(PbTi03，PT)薄膜被选为种子层，这是考虑到钙钛矿结构的 PT具有与PZT相似的晶格常数和晶体学对称性，且PT薄膜的晶化温度较低，大约550。C． 在PZT薄膜与基片之间镀一层薄的PT膜，这样在较低的温度下结晶的PT层可为PZT的 晶化提供晶核，降低PZT膜的晶化温度，从而抑制焦绿石相的生成．另外，由于晶化温度的 降低，也会使得高温下Pb的散失明显减少，从而有助于PZT铁电薄膜电性能的提高15”] 本研究采用硝酸锆替代锆醇盐，通过soI—gel方法，利用快速热处理(RTA)工艺，并引 入PT种子层，实现丁均匀、稳定PZT溶胶的合成和PZT薄膜低温烧结，并且制备出了具 有单一钙钛矿晶型结构、电性能优良的PZT铁电薄膜． 收稿日期：2003 01—23，收到恪改稿日期：2003—07—04 基盎项目；国家高技术研究发展计划新材料领域基金(863—715—002’01∞) 作者简介：夏冬林(t964一)，男，博士·讲师 E-majl：do“glillxIa@mailwuht·edu cn 万方数据 2期 夏冬林，等：PZT铁电薄膜Sol—Gel技术制各和电性能研究 355 2实验过程 2．1 PZT和PT先驱体溶液的合成 宴验中，以硝酸钴(Zr(N03)4 5t120)，乙酸铅(Pb(CH3COO)2 3H20)，钛酸阳丁酯(Ti(OC4ttg)i) 为原料，用乙二醇甲醚(HO(CH2)20CHz)作溶剂，乙二醇(HOCIl2cH20H】为螯合剂，乙酰 丙酮(CH3COCH2COCH3)为稳定剂利用改进的soI—gel工艺制备PZT和PT先驱体溶胶． PZT溶胶巾Zr／Ti摩尔比为53：47，铅过量5—10m01％蹦弥补在高温热处理过程巾的挥发散 失．用冰醋酸(CH3COOH)和甲酰胺(CH3NHz)调节溶胶的pH=3．o一4 5范围内，控制溶胶 的水解速度，得到均匀、稳定、透明的PZT溶胶和PT溶胶． Pb(CH3COO)p3H20 CH3COOH Ti(OC4Huh HO(CH2)20CH3 出!!唑＆5‘‘”ing !!!!! 】 上Mixing＆sfirling PT thin fihns precursor HH Calalyst Pt厂ri／Si02／Si substrate PT wel thin fiIms Annealing 图l Sol—Gel制备PT薄膜工艺流程图 Fig L Flow thait of PT thin film fabrication by sol—gel processing 2．2 PZT铁电薄膜的制备 实验中使用的Pt／Ti／SiO