晶体三极管共射放大电路.docVIP

晶体三极管共射放大电路? 一、实验要求: 1、电源电压VCC=12V; 2、静态工作电流ICQ=1.5mA; 3、当RC=3KΩ,RL=∞时,要求VO(max)≥3V(峰值),Av≥100; 4、根据要求选取三极管,β=100~200,C1=C2=10μF,Ce=100μF。 二、实验原理: 1.放大电路中偏置电路的设计: (1) 为了稳定静态工作点,必须满足I1IBQ 及VBVBE 。工程上一般选取: 硅管:I1=(5~10)IB 锗管: I1=(10~20)IB VB=(5~10)VBE 硅管 : VB=3~5V 锗管: VB=1~3V (2) 选择VB 和计算RE: 通常根据稳定条件二来选取。若静态工作点的稳定相要求高,而放大电路的动态范围较 小,则应按上限选取,反之,应用较小的值。 B BE B E EQ CQ V V V R I I    (3) 选定I1 和计算RB2和RB1 通常根据条件一来选取。在放大电路输入电阻允许的情况下,可选大一些。选定后,便 可以计算RB2 2 1 (5 ~ 10) B B b BQ V V R I I   1 1 ( 5 ~ 1 0 ) B C C B b BQ Vcc V V V R I I     三、实验仿真分析: 1. 设置三极管Q2N2222 参数:Bf=160,Vje=0.7V,Rb=300,保存; 电容参数为C1=C2=10uF,Ce=100uF; 电阻Rc=3k。 2. 调整静态工作点(此时设Rl=1meg,即丌带负载): 根据ICQ=1.5mA,算得IBQ=9.38uA,又VB=3~5V,所以Re =2~3.33k, Rb2=32~107k, Rb1=74.6~192k.实验中并拘泥于使ICQ=1.5mA,而是尽可能提高电压 放大倍数。 取Rb1=88k,Rb2=50k,Re=2.4k,设置瞬态分析,查看输出电压波形,放大倍数约为120倍。 依次将Re,Rb1,Rb2 阻值设为全局变量,查看在单一变量情况下输出电压幅值的变化,逐步 确定Re,Rb1,Rb2 最佳阻值。调试中有时幅值很大,但却出现了失真,这时就要灵活处理。 若输出波形是负半周失真,则为饱和失真,说明Q 点过高,为降低Q 点,应增大Rb1 或是 减小Rb2 或是增大Re.若是正半周失真,则为截止失真,说??Q 点太低,为增大Q 点,应 减小Rb1 或是增大Rb2 或是减小Re。最后通过一系列的反复调试,确定 Rb1=85k,Rb2=57k,Re=1.7k。 此时电压放大倍数为184 倍,静态工作点为下图: 3.观察输入不输出电压波形,测量电压放大倍数: (1)在输入端加入交流电压源VSIN(频率为3.5KHZ,幅值为10mV) (2) 当Rl=3k 时,设置交流扫描分析,设置为十倍成扫描,起始值为1,终止值为100meg, 扫描点数为100,图像为: 可知电压放大倍数绝对值约为96。而计算值 AV=-160*1.5*10 3 /(161*26/2.086+300)=-104,相对误差为(104-96)/104=7.7% (3)当RL 开路(设RL=1meg)时,设置交流扫描分析,图像为: 可知电压放大倍数绝对值约为184。而计算值 AV=-160*3*10 3 /(161*26/2.086+300)=-208,相对误差为(208-184)/208=11.5% (4)当RL=3K 时,设置瞬态分析,起始时间为0,终止时间为0.6ms,约为2 个周期,最 大步长设为0.01ms,得输入不??出波形为: 由图可知,输入不输出电压相位相反,而理论上也是如此。 4.观察饱和、截止失真: 设VI=40mv,仿真分析共射放大电路的电压传输特性及最大丌失真输出电压,设置瞬态 分析,扫描输出电压,时间设置同上,在Probe 中将横坐标改为输入电压,便得到传输特 性曲线。 (1) RL=3k 时: 电压传输特性为: 输出电压波形为: Vi FREQ = 3.5k VAMPL = 10m VOFF = 0 0A Q1 Q2N2222 17.64uA 2.068mA -2.086mA 0 V Rb1 85k 91.59uA Rc 3k 2.068mA Ce 100u C2 10u Rb2 57k 73.95uA C1 10u Re 1.7k 2.086mA Vcc 12Vdc 2.160mA RL 3k 0A Frequency 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz V(C2:-) 0V 0.5V 1.0V (10.302K,959.907m) Frequency 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz