EVDO切换参数优化改善3G下切2G案例绪论.doc

EVDO切换参数优化改善 3G下切2G案例 概述 由3G下切2G原因定位可知，激活态3G下切2G切换门限（即EVDO ECIO低于门限值超过一定时间且1X Ec/Io大于TADD）直接决定了触发AT发生激活态3G下切2G行为的无线信号判断标准。在EVDO容量允许的前提下，通过降低EVDO切换门限可以有效延迟部分AT触发激活态3G下切2G行为，将覆盖边缘用户尽量保留在EVDO上上网，减少激活态3G下切2G的次数。 优化思路 无线网络都是由不同的基站组成，每个基站都覆盖一定的范围，随着AT远离服务基站，信号会不断的衰减必须要有其他信号较好的基站来提供服务，AT从原服务基站到新服务基站的过程就是切换过程，也是EVDO业务连续性和移动性的保证。CDMA中的软切换技术可以提高用户业务的连续性，但需要占用更多的系统资源。如何提高切换成功率同时减少切换给系统带来的资源消耗就是本次的研究目标 同频导频良好可用门限（PILOTADD）：如果该参数设置得过大，使得软切换门限很高，这将减小软切换区域，降低软切换比例，但是可能导致切换不及时，导致出现覆盖漏洞。如果该参数设置的过小，使得软切换门限降低，这将增大软切换区域，提高软切换比例。 在站点比较稀疏、用户边缘分布（大量用户的接入距离大于2km）、周边无明显越区覆盖的站点的情况下，可由默认值-14改为-18