实验存储器和总线实验.docVIP

实验三　存储器和总线实验 一、实验目的 1、掌握静态随机存储器RAM工作特性。 2、掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。 二、实验内容 按照实验步骤完成实验项目，利用存储器和总线传输数据。 三、实验仪器 1、DAIS-CMH+计算机组成原理实验箱一台 2、排线若干 四、实验原理 图1-3 存储器实验原理图 实验所用的半导体静态存储器电路原理如图1-3所示，该静态存储器由一片6116(2Kx8)构成，其数据线(D7~D0)以8芯扁平线方式和数据总线(D7~D0)相连接，地址线由地址锁存器(74LS273)给出，该锁存器的输入/输出通过8芯扁平线分别连至数据总线接口和存储器地址接口。地址显示单元显示AD7~AD0的内容。数据开关经一三态门(74LS245)以8芯扁平线方式连至数据总线接口，分时给出地址和数据。6116有3根控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WR（写线）。当片选有效CS=0时，OE=0时进行读操作，WR=0时进行写操作。本实验中将OE引脚接地，在此情况下，当CS=0、WR=1时进行读操作，CS=0、WR=0时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。实验时T3脉冲由【单步】命令键产生，其它电平控制信号由二进制开关模拟，其中CE、SW-B、LDAR为高电平有效，而WE为读/写(W/R)控制信号，当WE=0时进行读操作，当WE=1时进行写操作。 四、实验连线 　　 图7-6-2　实验连线示意图 按图7-6-2所示，连接实验电路： ① 总线接口连接：用8芯扁平线连接图7-6-2中所有标明“”或“”或“”图案的总线接口。 ② 控制线与时钟信号“”连接：用双头实验导线连接图7-6-2中所有标明“”或“”图案的插孔（注：Dais-CMH的时钟信号已作内部连接）。 五、实验内容 在闪动的“P.”状态下按动【增址】命令键，使LED显示器自左向右第4位显示提示符“L”，表示本装置已进入手动单元实验状态。（若当前处“L”状态，本操作可略）。 （一）内部总线数据写入存储器 给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤如下（以向00地址单元写入数据11为例）： 注：【单步】键的功能是启动时序电路产生T1~T4四拍单周期脉冲 （二）读存储器的数据到总线上 依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下（以从00地址单元读出数据11为例）： 注：【单步】键的功能是启动时序电路产生T1~T4四拍单周期脉冲 六、实验报告 1、按实验内容进行单步读、写、连续写。着重写明各开关的状态，并按先后顺序写明操作步骤； 2、将存储器的地址和其对应的数据列表记录。 七、实验思考题 1、静态存储器是靠什么存储信息？动态存储器又是靠什么存储信息？ 2、静态存储器和动态存储器的优缺点？