实验三十九形状记忆合金的组织形貌观察和二次电子像.pptVIP

形状记忆合金的组织形貌观察及二次电子像 〈一〉实验目的 〈二〉实验内容 〈三〉样品要求 〈四〉实验说明及步骤 〈五〉实验报告内容及要求 〈六〉思考题 〈一〉实验目的 1．通过此实验，了解扫描电镜对样品的要求，会分析形状记忆合金的二次电子像和X射线像。 2．了解形状记忆合金的组织形貌与前期固溶处理的关系。 〈二〉实验内容 　　　 〈四〉实验说明及步骤 形状记忆合金二次电子像的观察与分析 形状记忆合金的二次电子像： 二次电子：当样品原子的核外层电子受到入射电子的激发（非弹性散射）而获得大于临界电离激发能的能量后，便脱离开原子核的束缚成为自由电子，只有那些能量大于材料逸出功的电子才有可能逃离样品表面，这些电子称为二次电子。其能量范围在0—50ev，它主要来源于样品表面5-10nm的深度范围。用二次电子呈像，图像的分辩率高。JXA—40扫描电子显微镜的分辩率为4nm。二次电子像的衬度主要取决样品表面各部位发射出的二次电子数量变化。二次电子发射量和样品表面的形貌有关，图1示出了发射量与样品倾斜角度的函数关系。 〈四〉实验说明及步骤 〈四〉实验说明及步骤 二次电子产生总量I由下面等式给出： 这里K：比例常数 θ：入射电子与样品表面法线夹角 扫描电镜中二次电子像高清晰度的真实反应了样品表面微观形貌。形状记忆合金的