第10章节电子电路中常用的元件.pptVIP

* 1、发射区向基区扩散电子 —— 内部载流子运动规律 发射结处于正向偏置，掺杂浓度较高的发射区向基区进行多子扩散。 放大作用的内部条件： 基区很薄且掺杂浓度很低。 2、电子在基区的扩散和复合 基区厚度很小，电子在基区继续向集电结扩散。（但有少部分与空穴复合而形成IBE ? IB）。 （非平衡少数载流子的扩散） 电流放大作用原理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 3、集电区收集扩散电子 集电结为反向偏置使内电场增强，对从基区扩散进入集电结的电子具有加速作用而把电子收集到集电区，形成集电极电流(ICE ? IC)。 由电流分配关系示意图可知发射区向基区注入的电子电流IE将分成两部分ICE和IBE，它们的比值为 它表示晶体管的电流放大能力，称为电流放大系数。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。 根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 4、集电极反向电流ICBO（平衡少子产生） 结论：IE=ICE+IBE IC=ICE+ICBO IB=IBE-ICBO β=ICE/IBE =(IC-ICBO)/(IB+ICBO) =IC/IB 双极型晶体管——因为两种载流子参加导电。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 例：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V （2）U1=3V、U2=2.8V、U3=12V （3）U1=6V、U2=11.3V、U3=12V （4）U1=6V、U2=11.8V、U3=12V 试判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 解： （1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 《电工电子技术》 之电子技术 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 半导体二极管和三极管是最常用的半导体器件。它们的基本结构、工作原理、特性和参数是学习电子技术和分析电子线路必不可少的基础，而PN结又是构成各种半导体器件的共同基础。因此，本章从讨论半导体的导电特性和PN结的基本原理（特别是它的单向导电性）开始，然后介绍二极管和三极管，为以后的学习打下基础。 第十章电子电路中常用的元件 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 第十章电子电路中常用的元件 10-1.半导体的基本知识 10-2.PN 结 10-5.半导体三极管 10-3.半导体二极管 10-4.稳压二极管 Evaluation only. Created with A