材料科学基础第7章扩散与固态相变导论.ppt

第7章 扩散与固态相变 扩散对于材料的加工过程具有重要影响 概 述 1、扩散的现象与本质? （1）扩散：热激活的原子通过自身的热振动克服束缚而迁移它处的过程。 （2）现象：柯肯达尔效应。 （3）本质：原子无序跃迁的统计结果。（不是原子的定向移动）。 柯肯达尔效应: 原来是指两种扩散速率不同的金属在扩散过程中会形成缺陷，现已成为中空纳米颗粒的一种制备方法。 可以作为固态物质中一种扩散现象的描述。 2、扩散的分类 （1）根据有无浓度变化 自扩散：原子经由自己元素的晶体点阵而迁移的扩散。(如纯金属或固溶体的晶粒长大-无浓度变化) 互扩散：原子通过进入对方元素晶体点阵而导致的扩散。（有浓度变化） （2）根据扩散方向 下坡扩散：原子由高浓度处向低浓度处进行的扩散。 上坡扩散：原子由低浓度处向高浓度处进行的扩散。 （3）根据是否出现新相 原子扩散：扩散过程中不出现新相。 反应扩散：导致形成一种新相的扩散。 3、固态扩散的条件 （1）温度足够高； （2）时间足够长； （3）扩散原子能固溶； （4）具有驱动力： 化学位梯度。 第1节 扩散定律 1、菲克(Fick A)第一定律 （1）第一定律描述： 单位时间内通过垂直于扩散方向的某一单位面积截面的扩散物质流量（扩散通量J）与浓度梯度成正比。 （2）表达式： 其中，C－溶质原子浓度；D-扩散系数。 （3）适用条件：稳态扩散 - dc/dt=0，浓度及浓度梯度不随时间改变。 2、菲克第二定律 一维 1）表达式 ? 三维 ? 稳态扩散：?C/?t=0，?J/?x=0。 2）适用条件 非稳态扩散:?C/?t≠0,?J/?x≠0 （?C/?t=－?J/?x）。 ? 3）扩散第二定律的应用 （1）误差函数解 适用条件：无限长棒和半无限长棒。（恒定扩散源〕 表达式：Cx=Cs－(Cs-C0)erf(χ/2√Dt) (半无限长棒)。 例：在渗碳条件下：Cs:表面含碳量; C0:钢的原始含碳量→C（χ）-χ,t处的浓度。? ?（2）正弦解 Cx,t=Cp+A0sin(πx/λ)exp(-π2Dt/λ2) 其中,Cp:平均成分；A0：振幅Cmax- Cp；λ:晶粒间距的一半。 例：对于均匀化退火，若要求晶粒中心成分偏析振幅降低到1/100,则： [C(λ／2,t)- Cp]/(Cmax-Cp)= exp(-π2Dt/λ2)=1/100。 ?（3）高斯解(薄膜解） Cx=(M/√πDT)exp(-x2/4Dt) 适用条件：限定扩散源、衰减薄膜源（扩散物质总量M不变；t=0,c=0)。 例：半导体Si中P的掺杂。 ⅰ）恒源向半无限大物体扩散： 如晶体处于扩散物质的恒定蒸气压下，气相扩散的情形（例如把硼添加到硅片中）。 例，A、B两棒对接，物质A沿X方向向B中扩散 边界条件： t=0时, x0处 c=c2 x0处， c=c1=0 t0时， x0处 c=c2 x→∞处 c=0 例题1：把硼添加到硅片中的方法是： 在1100℃下当B2O3分压达到某一定值后，其在硅片表面的溶解度达到饱和状态，相应浓度为CS=3×1026原子/厘米3。 保持B2O3分压恒定，就能保持CS恒定，则B2O3向硅一个方向扩散，从而把硼添加到硅片中。 若已知在1100 ℃时硼的扩散系数D=4×10-17m2/s,扩散时间是6min。 求硼浓度随距离的变化曲线。 可以看出计算结果与实测结果稍有偏差。 造成偏差的原因： ①表面硼的浓度未达到饱和浓度。 ②硼是三价的，渗入后形成电子空穴（不等价）迁移较快，造成一个电场，加速了硼的扩散。 第2节 扩散机制 1、扩散机制 ? 间隙－间隙； （1）间隙机制 平衡位置－间隙－间隙：较困难； 间隙－篡位－结点位置。 （间隙固溶体中间隙原子的扩散机制。） ? 方式：原子跃迁到与之相邻的空位； （2）空位机制 条件：原子近旁存在空位。 （金属和置换固溶体中原子的扩散。）