第2章基本放大电路-14-15-2导论.ppt

二、性能指标分析 Ri R?i Ro Ro = RC 特点： 1. Au 大小与共射电路相同。 2. 输入电阻小，Aus 小。 RC RE RS + us ? RL + uo ? RC RE RS + us ? RL rBE io ic ie ii ib ? ib + ui ? 2.6　场效应管放大电路 2.6.2 场效应管电路小信号 等效电路分析法 2.6.1 场效应管放大电路的组态 2.6.1 场效应管放大电路的组态 三种组态： 共源、共漏、共栅 特点： 输入电阻极高， 噪声低，热稳定性好 一、直流偏置电路 1. 自给偏压电路 +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG RS G S D 栅极电阻 RG 的作用： (1)为栅偏压提供通路 (2)泻放栅极积累电荷 源极电阻 RS 的作用： 提供负栅偏压 漏极电阻 RD 的作用： 把 iD 的变化变为 uDS 的变化 UGSQ = UGQ – USQ = – IDQRS 2. 分压式自偏压电路 调整电阻的大小，可获得： UGSQ 0 UGSQ = 0 UGSQ 0 RL +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 例 2.6.1 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?， RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。 IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。 ? iG = 0 ? uGS = ? iDRS RD G D S RG RS iD + uO – + VDD – iD1= 4 mA iD2= 1 mA uGS = – 8 V UGS(off) 增根 uGS = – 2 V uDS = VDD – iD(RS + RD) = 20 – 14 = 6 (V) uO = VDD – iD RD = 20 – 14 = 8 (V) 在放大区 例 2.6.2 已知 UGS(off)= ? 0.8 V，IDSS = 0.18 mA， 求“Q”。 解方程得：IDQ1 = 0.69 mA，UGSQ = – 2.5V (增根，舍去) IDQ2 = 0.45 mA ， UGSQ = – 0.4 V RL RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 G S D RG1 RG3 10 k? 10 k? 200 k? 64 k? 1 M? 2 k? 5 k? +24V 2.6.2 场效应管电路小信号等效电路分析法 小信号模型 rgs S id gmugs + ugs ? + uds ? G D 从输入端口看入，相当于电阻 rgs(?)。 从输出端口看入为受 ugs 控制的电流源。 id = gmugs 一 、场效应管等效电路分析法 例 2.6.3 gm= 0.65 mA/V，ui = 20sin?t (mV)，求交流输出 uo。 + ? RD G D S RG RS iD + uO – + VDD – ui + ? VGG 10 k? 4 k? 交流通路 + ? RD G D S RG RS id + uO – ui 小信号等效电路 + ui ? RS RD S id gmugs + ugs ? + uo ? G D RG ui = ugs+ gmugsRS ugs= ui / (1 + gmRS) uo = – gmui RD / (1 + gmRS) = – 36sin ?t (mV) 二、性能指标分析 1. 共源放大电路 有 CS 时： RL +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 RL RD + uo ? + ui ? RG2 G S D RG3 RG1 + ugs ? gmugs id ii 无 CS 时： RS Ri、Ro 不变 2. 共漏放大电路 RL +VDD C2 + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 + ui ? G S ii RL RS + uo ? RG2 D RG3 RG1 + ugs? gmugs io Ro 当环境温度升高 二 静态工作点的位置发生变化的原因 1 温度对晶体管参数的影响 T↑→ICBO↑,温度每升高10oC, ICBO↑一倍 T↑→UBE↓,温度每升高1oC, UBE↓2.5mv T↑→β↑,温度每升高1