第三章逻辑门电路描述.pptVIP

各种三态门的逻辑符号 三态门和OC门的性能比较 (1) 三态门的开关速度比OC门快。 2. 三态与非门(TSL ) 当EN= 3.6V时-与非门 高阻 × × 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 B A 输出端L 数据输入端 EN 三态与非门真值表 当EN= 0.2V时-高阻态 逻辑符号 高电平 使能 = = 高阻状态 与非逻辑 Z L AB L EN = 0 ____ EN =1 A B EN L EN 2. 三态与非门(TSL ) 当EN= 3.6V时 高阻 × × 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 B A 输出端L 数据输入端 EN 三态与非门真值表 当EN= 0.2V时 逻辑符号 A B EN L EN 高电平 使能 = = 高阻状态 与非逻辑 Z L AB L EN = 0 ____ EN =1 打印机 扫描仪 显示器 通过控制使能端，可以使各个设备输出的数据轮流占有总线，分时传送。 三态门主要用于总线传输系统 分析以下电路 的功能 E＝1时，G1工作 Y＝/D G2禁止 输出X高阻态 E＝0时，G1禁止输出高阻 G2工作 X＝/Y 三态门可以实现数据双向传输 (2) 允许接到总线上的三态门的个数，原则上不受限制，但允许接到总线上的OC门的个数受到上拉电阻RC的取值条件的限制。  (3) OC门可以实现“线与”逻辑，而三态门则不能。若把多个三态门输出端并联在一起，并使其同时选通， 当它们的输出状态不同时，不能输出正确的逻辑电平，而且还会烧坏导通状态的输出管。 特点:功耗低、速度快、驱动力强 3.2.6 Bi CMOS门电路 ?I为高电平: MN、M1和T2导通，MP、M2和T1截止，输出?O为低电平。 工作原理: M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流, M1 、 M2加快输出状态的转换 ?I为低电平: MP、M2和T1导通，MN、M1和T2截止，输出?O为高电平。 T2基区的存储电荷通过M2而消散。 M1 、 M2加快输出状态的转换电路的开关速度可得到改善 M1截止，MP的输出电流全部作为T1的驱动电流。 3.2.7 改进型TTL门电路——抗饱和TTL门电路 晶体三极管的开关时间限制了TTL门的开关速度。为了提高TTL门电路的开关速度，人们在三极管的基极和集电极间跨接肖特基二极管，以缩短三极管的开关时间。肖特基二极管也称快速恢复二极管，它的导通电压较低，约为0.4～0.5 V，因此开关速度极短，可实现1ns以下的高速度。加接了肖特基二极管的三极管称为肖特基三极管。 由肖特基三极管组成的门电路称做肖特基TTL门，即STTL门，它的tpd 在10 ns以内。除典型的肖特基型（即STTL型）外，还有低功耗肖特基型（LSTTL）、先进的肖特基型（ASTTL）、先进的低功耗型（ALSTTL）等，它们的技术参数各有特点，是在TTL工艺的发展过程中逐步形成的。 基本TTL门和肖特基TTL门电路的性能比较 3.5.1 正负逻辑问题 正负逻辑的规定 0 1 1 0 正逻辑 负逻辑 3.5 逻辑描述中的几个问题 正逻辑体制:将高电平用逻辑1表示，低电平用逻辑0表示 负逻辑体制:将高电平用逻辑0表示，低电平用逻辑1表示 与非 ? 或非 负逻辑 正逻辑 与 ? 或 非 ? 非 3.5.2 基本逻辑门电路的等效符号及其应用 1、 基本逻辑门电路的等效符号 与非门及其等效符号 系统输入信号中，有的是高电平有效，有的是低电平有效。 低电平有效，输入端加小圆圈； 高电平有效，输入端不加小圆圈。 或非门及其等效符号 1)驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围，包括高、低电压值（属于电压兼容性的问题）。 在数字电路或系统的设计中，往往将TTL和CMOS两种器件混合使用，以满足工作速度或者功耗指标的要求。由于每种器件的电压和电流参数各不相同，因而在这两种器件连接时，要满足驱动器件和负载器件以下两个条件： 2)驱动器件必须对负载器件提供足够大的拉电流和灌电流（属于门电路的扇出数问题）； 3.6.1 各种门电路之间的接口问题 3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题 v O v I 驱动门 负载门 1 1 VOH(min) ≥ VIH(min) VOL(max) ≤ VIL(max) 1、 CMOS门驱动TTL门 VOH（min)=4.9V VOL(max) =0.1V TTL门（74系列）