电子电路第1章节习题课.pptVIP

1.5 Multisim步骤 如图搭建电路（为更好地观测输入输出波形，将示波器的两个通道分别连接输入端和输出端，并以不同颜色区分） 开始仿真并双击示波器观察，可看到如下波形（注意调整示波器的设置） 1.8 Multisim步骤 如图搭建电路（为简化电路形式，电源直接用交流电源，电容电阻参数可以自行修改） 运行后可以看到如下波形 作为对比可观察去掉电容后的波形（1.7） 1.13 画出N沟道JFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；指出电阻区和夹断区以及它们的分界线；写出转移特性方程式；定义 。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.14 画出N沟道耗尽型与增强型MOSFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；标明电阻区及夹断区以及它们的分界线；定义 ；写出它们在可变电阻区和恒流区的特性方程式。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.15 已知某3DJ6（N-JFET）的漏极特性如图P1.15所示。试由漏极特性作出 三种情况下的转移特性。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.16 已知某P沟道JFET的参数： × ， 试求出 时的完整小信号等效电路。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.17 设PMOSFET的工艺参数： ×静态工作电流 试画出它的低频小信号等效电路。若 时的等效电路中的受控电流源。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第三章放大电路的频率特性－1 第三章放大电路的频率特性－1 电子电路第一章习题课 2011.3.25 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1 说明PN结的工作原理 P型区到N型区的过渡带两边的自由电子和空穴浓度相差很大，在浓度差下形成扩散运动，P区的空穴（多子）向N区扩散，N区的自由电子（多子）向P区扩散，在过渡区域产生强烈的复合作用使自由电子和空穴基本消失，在过渡带中产生一个空间电荷区（耗尽区），扩散运动使过渡带内失去了电中性，产生电位差和电场，分别称为接触电位差和内建电场，内建电场由N区指向P区阻碍多子的扩散运动，却促进过渡带中少子的漂移运动，漂移运动中和过渡区中的电荷从而削弱内建电场，随着扩散运动和漂移运动的进行，最后达到一个平衡状态，即内建电场的强度恰好使扩散运动和漂移运动的速度相等，这种平衡称为动态平衡，这时过渡带中的接触电位差，内建电场强度，空间电荷区宽度均处于稳定值，这时我们认为PN结已经形成，并把P、N的过渡带称为PN结，PN结的宽度为空间电荷区的宽度。 Evaluation only. Created with Asp