半导体器件物理之物理电流—电压特性.pptVIP

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2017-03-31 发布于北京
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半导体器件物理之物理电流—电压特性

3。电流-电压特性?理想情况( 肖克莱方程) 理想的电流电压特性 1) 突变耗尽近似, 边界外电中性 2) 波耳兹曼近似 3) 小注入假设 4) 耗尽层内无产生和复合电流 W1 P N I V W E E’ W2 P N I V W E E’ 正偏反偏 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正向和反向偏置下的能带图、电势分布和载流子浓度分布 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 热平衡时,波耳兹曼关系: 本征能级电势费米能级电势热平衡时 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 外加电压, 结两侧的少数载流子密度变化, 电子和空穴的准费米能级正向偏置反向偏置 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 根据电流密度方程: 同理: 电子和空穴的电流密度正比于各自的准费米能级梯度热平衡状态: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正向和反向偏置下的能带图、电势分布。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 结上的静电势差： P型一侧耗尽区边界x=-xp的电子浓度: n型一侧耗尽区边界x=xn的空穴浓度: 理想电流电压方程最重要的边界条件。 PN结边界处的非平衡少数载流子浓度: 正向偏压时,边界的少数载流子浓度比平衡时要大,反向偏压时要小. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正向和反向偏置下的能带图和载流子浓度分布 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 根据连续性方程，静态时, 对N区: 净复合率利用电中性（nn-nn0) ~(pn-pn0)，结合爱因斯坦关系：乘以 ?ppn 乘以 ?nnn + Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 其中：小注入假设：n型区比较 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 无电场的中性区, 进一步简化： x=xn: 边界条件: x=-xp: 同理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正向偏置状态: 载流子分布和电流密度分布 Evaluation only. Crea