第5章节模拟集成放大电路基本117989174220110923100612.pptVIP

第5章 模拟集成放大电路基础 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一、集成电路工艺简介 以制造NPN管的工艺流程为例 氧化 光刻 隐埋层扩散 外延和氧化 隔离扩散 选择隔离槽 P型硅片 5.1 集成运算放大电路概述 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 集成电路的封装 (b)圆壳式 (a)双列直插式 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、集成化元器件特点 4. 集成电路中寄生参量的存在会引起元件间的寄生耦合，影响电路稳定，使电路产生寄生振荡。 1.集成电路工艺不能制作电感，超过100pF的大电容因占用面