第6章节放大电路基本—3.pptVIP

为保证晶体功率管的安全和输出功率的要求，电源及输出功率管参数的选择原则如下： 在栅源间加负电压VGS ，令VDS =0 ①当VGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 （1）输出特性曲线： ID=f（ VDS ）│VGS=常数 场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT VT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 双极型和场效应型三极管的比较 增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 场效应管的交流小信号模型 其中：rgs是输入电阻，理论值为无穷大。 gmvgs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。称为低频