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电路基础与集成电子技术-4.3半导体二极管
二极管的动态电阻rd的求解 4.3 半导体二极管 4.3.1 二极管的结构类型 4.3.2 二极管的伏安特性曲线 4.3.3 二极管的参数 4.3.4 二极管的模型 4.3.5 二极管的典型应用 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.3.1 二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图4.3.1所示。 4.3.1.1 点接触型二极管 (a)点接触型 图 4.3.1 二极管的结构示意图 点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.3.1.2 面接触型二极管 (b)面接触型 图 4.3.1 二极管的结构示意图 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (c)平面型 4.3.1.3 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 图 4.3.1 二极管的结构示意图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.3.2 二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的伏安特性曲线如图4.3.2所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 图4.3.2 二极管的伏安特性曲线 4.3.2.1 正向特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 图 4.3. 3 二极管伏安特性曲线的正向区 刚加入正向电压后，二极管有一个死区。 当正向电压达到开启电压Uth(on)之值后，正向电流开始比较明显地出现，此时正向特性曲线非线性较大。 当正向电流较大时，特性曲线也具有较好的线性度。 硅二极管和锗二极管的正向特性主要表现在开启电压不同，硅二极管的Uth(on)约为0.4~0.5V；锗二极管的Uth(on) 约为0.1~0.2V。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 硅二极管和锗二极管的反向特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流很小； 锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿机理上看， 当硅二极管|UBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；当|UBR|≤4V时，则主要是齐纳击穿。当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。 图 4.3. 4 伏安特性曲线的反向区 4.3.2.2 反向特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.3.3 二极管的参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流 IF ——二极管长期连续工作时，在整流状态下的平均电流的最大值。 (2) 反向击
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