第09讲-第4章节半导体二极管-三极管-场效应管.pptVIP

电地暖 第09讲：第4章 半导体二极管、三极管、场效应管(2) 教学回顾 3）贴片电阻 读数：标称值前两位为有效数字，最后一位为10的次幂。 教学内容 4.3 双极型晶体管 4.3 双极型晶体管 4.3 双极型晶体管 4.3 双极型晶体管 4.3 双极型晶体管 课堂小结 作业题 预习内容 ② 穿透电流ICEO ICEO是基极开路，集电极与发射极间加反向电压时的集电极电流。由于这个电流由集电极穿过基区流到发射极，故称为穿透电流。测量ICEO的电路如图所示。 μA b c e ICEO (a) NPN管 μA b c e ICEO (b) PNP管 ICEO的测量 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⑶ 极限参数 ① 集电极最大允许耗散功率PCM 晶体管电流iC与电压uCE的乘积称为集电极耗散功率PC =iCuCE，这个功率将导致集电结发热，温度升高。 因此，定出了集电极最大允许耗散功率PCM，工作时管子消耗的平均功率PC必须小于PCM。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ① 集电极最大允许耗散功率PCM 曲线的左下方均满足PCPCM条件。 uCE(V) iC(mA) iB=1.0mA 0.8 0.6 0.4 0.2 0 10 20 30 0 10 20 30 40 50 60 3DG4的安全工作区 U(BR)CEO ICM 20℃ 功率损耗线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ② 反向击穿电压 反向击穿电压是指各电极间允许加的最高反向电压。 U(BR)CBO是发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO是基极开路时，集电极-发射极间的反向击穿电压。 U(BR)EBO是集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压。 U(BR)CBOU(BR)CEOU(BR)EBO。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ③ 集电极最大允许电流ICM 集电极电流如果超过ICM，晶体管的放大性能就要下降甚至可能损坏。 小 结 PCM、U(BR)CEO和ICM三个极限参数，决定了晶体管的安全工作区。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⑷ 频率参数 用来评价晶体管高频放大性能的参数。 ① 共发射极截止频率 ② 特征频率fT Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5. 温度对晶体管参数的影响 主要考虑温度对下述三个参数的影响： 共射短路电流放大系数 基射极间正向电压uBE 集电结反向饱和电流ICBO。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 　　1、了解PNP和NPN型晶体管的特点。 　　2、了解晶体管的特性曲线。 3、了解晶体管的主要参数。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第10讲：第5章 放大电路基