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高速、低端栅极驱动器
? 2007 飞兆半导体,保留所有权利
高速、低端栅极驱动器
飞兆产品
FAN3000 系列低端栅极驱动器可提供无与伦比的更高性能、更小尺寸以及更多输入选项的组合,
以驱动N沟道功率 MOSFET 和 IGBT:
? 业界最小封装(232 和 333mm MLP)
? 为所有设备选择 TTL 或 CMOS 输入阈值,以实现最佳兼容性
? 每个通道均有 2 个输入,可实现设计的灵活性:任一双输入(1 和 2 逻辑)、反相和使能或同相和使能
? 1MHz 开关频率工作下芯片可控制良好的超短时间延迟、并联驱动器和优化驱动时序,可最大限度地提高效率
? 飞兆的部分硅片电源解决方案,由全球电源设计专家网络 Global Power Resource? 提供后盾支持
40 种不同的 IC 在单通道或双通道应用中提供 2A、4A 或 9A 多种电流额定值选择。除了以下规格外,这些驱动器
还可提供快速开关和精确定时,以便在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。
? 输出级的 MillerDrive? 架构中,一个双极 MOSFET 组合,可在 MOSFET 开关过程的 Miller 平台期间提供最高电
流,从而最大限度地降低开关损耗
? 如果输入信号缺失,故障安全输入可使输出保持低电平状态
? 用于可预测启动的欠压闭锁
? “使能”输入,如果未连接,则默认为“开启”
? 业界标准引脚排列
? 用于散热的导热垫(MLP 封装)
? 无铅 (Pb) 层
适用于所有产品的规格*
参数 值
VDD 至 GND(ABS 最大值) 20V
推荐 VDD 范围 4.5V – 18V
结温(ABS 最大值) 150°C
推荐环境温度 –40°C– 125°C
UVLO 导通电压 4V
输出传播延迟 20ns
通道间的传送匹配度 2ns
按电流额定值分类的规格*
典型应用
? 开关电源 ? 线路驱动器 ? 数字音频放大器
? 同步整流电路 ? DC–DC 功率转换器 ? 任何开关功率 MOSFET 或 IGBT
* 典型值(除非另外标注):VDD = 12V,TJ = –40°C - 125°C
** 开发中
PWM
IN
VDD
VDD
IN
Vin
AGND GND
OUT
IN IN
AGND GND
OUTBIAS
FAN3100
FAN3100
带混合型同步整流的正激转换器
参数 2A 4A 9A**
中压灌电流/通道(安培) 2.5 4.3 9
中压源电流/通道(安培数) 1.7 2.8 6
峰值灌电流/通道(安培) 3 5 12
峰值源电流/通道(安培) 3 5 10
静态电流(输入断开)(mA) 0.7 0.7 1.0
[负载电容 (nF)] 的输出上升/下降时间 (ns) 13/9 [1] 12/9 [2.2] 20/18 [10]
输出反向耐受电流 (mA) 500 500 1500
文献号 600523-001
高速、低端栅极驱动器
电流额定值
…被选择用于实现功率开关全部栅
极电荷 QG 所需的开关时间和开关
损耗。 对于每个驱动器的电流额定
值,右表显示了大致的最短导通或关
断时间,假设没有串联栅极驱动电阻
(tSW,最小值=(QG/I额定值)x1.5,经验
常数)。
输入配置
单输入和使能
? 反相和使能
? 同相和使能
? 使能默认为高电平 = 开启
双输入
? 使用 IN2 进行反相操作(将 IN1
保持为高电平)
? 使用 IN1 进行同相操作(将 IN2
保持为低电平)
? 其他输入可以使能
IN+ IN– OUT
0 0 0
0 1 0
1 0 1
1 1 0
VDD
IN+
IN–
OUT
GND
IN
VDD
EN
OUT
(或OUT)
GND
输入阙值
TTL (0.8V, 2.0V)
? 针对逻辑电平输入信号,例如:3.3V 或 5V
? 针对 VDD 变化时的恒定输入阙值
? 最常见的选择
CMOS(~40% 和 60% 的 VDD)
? 针对噪声环境
? 针对在驱动器输入端易于添加阻容延时
? 针对与 VDD 成比例的输入阈值
封装
选择结至引线的最大热阻:
RuJL,最大值 =
其中:
TJ, MAX, OP = 最大工作结温 150°C
TL, MAX, OP = 最大工作引线温度最大 PCB 温度
PPKG = 封装中的平均功耗 = VDD QG fSW 减去串联栅极电
阻中的损耗 = I2G, RMS RG(难以估计)
FPCB = 流入 PCB 的 PPKG 的分数,例如:0.9
TJ,MAX,OP – TL,MAX,OP
PPKG FPCB
通道 电流 每通道的输入
Gnd
引脚
封装
RuJL
(°C/W)
器件型号 (a)
单通
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