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高速、低端栅极驱动器

? 2007 飞兆半导体,保留所有权利 高速、低端栅极驱动器 飞兆产品 FAN3000 系列低端栅极驱动器可提供无与伦比的更高性能、更小尺寸以及更多输入选项的组合, 以驱动N沟道功率 MOSFET 和 IGBT: ? 业界最小封装(232 和 333mm MLP) ? 为所有设备选择 TTL 或 CMOS 输入阈值,以实现最佳兼容性 ? 每个通道均有 2 个输入,可实现设计的灵活性:任一双输入(1 和 2 逻辑)、反相和使能或同相和使能 ? 1MHz 开关频率工作下芯片可控制良好的超短时间延迟、并联驱动器和优化驱动时序,可最大限度地提高效率 ? 飞兆的部分硅片电源解决方案,由全球电源设计专家网络 Global Power Resource? 提供后盾支持 40 种不同的 IC 在单通道或双通道应用中提供 2A、4A 或 9A 多种电流额定值选择。除了以下规格外,这些驱动器 还可提供快速开关和精确定时,以便在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。 ? 输出级的 MillerDrive? 架构中,一个双极 MOSFET 组合,可在 MOSFET 开关过程的 Miller 平台期间提供最高电 流,从而最大限度地降低开关损耗 ? 如果输入信号缺失,故障安全输入可使输出保持低电平状态 ? 用于可预测启动的欠压闭锁 ? “使能”输入,如果未连接,则默认为“开启” ? 业界标准引脚排列 ? 用于散热的导热垫(MLP 封装) ? 无铅 (Pb) 层 适用于所有产品的规格* 参数 值 VDD 至 GND(ABS 最大值) 20V 推荐 VDD 范围 4.5V – 18V 结温(ABS 最大值) 150°C 推荐环境温度 –40°C– 125°C UVLO 导通电压 4V 输出传播延迟 20ns 通道间的传送匹配度 2ns 按电流额定值分类的规格* 典型应用 ? 开关电源 ? 线路驱动器 ? 数字音频放大器 ? 同步整流电路 ? DC–DC 功率转换器 ? 任何开关功率 MOSFET 或 IGBT * 典型值(除非另外标注):VDD = 12V,TJ = –40°C - 125°C ** 开发中 PWM IN VDD VDD IN Vin AGND GND OUT IN IN AGND GND OUTBIAS FAN3100 FAN3100 带混合型同步整流的正激转换器 参数 2A 4A 9A** 中压灌电流/通道(安培) 2.5 4.3 9 中压源电流/通道(安培数) 1.7 2.8 6 峰值灌电流/通道(安培) 3 5 12 峰值源电流/通道(安培) 3 5 10 静态电流(输入断开)(mA) 0.7 0.7 1.0 [负载电容 (nF)] 的输出上升/下降时间 (ns) 13/9 [1] 12/9 [2.2] 20/18 [10] 输出反向耐受电流 (mA) 500 500 1500 文献号 600523-001 高速、低端栅极驱动器 电流额定值 …被选择用于实现功率开关全部栅 极电荷 QG 所需的开关时间和开关 损耗。 对于每个驱动器的电流额定 值,右表显示了大致的最短导通或关 断时间,假设没有串联栅极驱动电阻 (tSW,最小值=(QG/I额定值)x1.5,经验 常数)。 输入配置 单输入和使能 ? 反相和使能 ? 同相和使能 ? 使能默认为高电平 = 开启 双输入 ? 使用 IN2 进行反相操作(将 IN1 保持为高电平) ? 使用 IN1 进行同相操作(将 IN2 保持为低电平) ? 其他输入可以使能 IN+ IN– OUT 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 VDD IN+ IN– OUT GND IN VDD EN OUT (或OUT) GND 输入阙值 TTL (0.8V, 2.0V) ? 针对逻辑电平输入信号,例如:3.3V 或 5V ? 针对 VDD 变化时的恒定输入阙值 ? 最常见的选择 CMOS(~40% 和 60% 的 VDD) ? 针对噪声环境 ? 针对在驱动器输入端易于添加阻容延时 ? 针对与 VDD 成比例的输入阈值 封装 选择结至引线的最大热阻: RuJL,最大值 = 其中: TJ, MAX, OP = 最大工作结温 150°C TL, MAX, OP = 最大工作引线温度最大 PCB 温度 PPKG = 封装中的平均功耗 = VDD QG fSW 减去串联栅极电 阻中的损耗 = I2G, RMS RG(难以估计) FPCB = 流入 PCB 的 PPKG 的分数,例如:0.9 TJ,MAX,OP – TL,MAX,OP PPKG FPCB 通道 电流 每通道的输入 Gnd 引脚 封装 RuJL (°C/W) 器件型号 (a) 单通

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