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硅晶片清洗工藝流程.pptVIP

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硅晶片清洗工藝流程

太阳能电池的应用 太阳能电池的应用 PN结及其单向导电性 太阳能电池的工作原理 硅片分检 清洗流程 清洗流程 硅片清洗剂 陆由东 2012-12-10 太阳能电池分类 单晶硅太阳电池: 1、表面规则稳定,通常呈黑色 2、光电转换率最高,可达14-17% 左右,而且其发电效率稳定可靠。 3、不能弱光发电。 4、因单晶硅衬底造价高,成本较 贵。 5、光电单元间的空隙可透部分光。 多晶硅太阳电池 1、结构通常清晰,不透明 2、转化率略低于单晶硅太阳电 池,约10-12% 3、稳定性不如单晶硅 4、不能弱光发电 5、成本低于单晶硅,多晶硅太阳电池正在逐步取代单晶硅太阳电池。 非晶硅太阳电池 1、具有透光性,透光度可从5%到75% ,运用到建筑上的最理想的透光度为5% 2、转化率较低(6%-10%) 3、具备弱光发电的性能,日发电时间可以从早上6点延续到晚上7点 4、材料和制造工艺成本低,易于形成大规模生产 5、承受的工作温度比晶体硅要高 太阳能电池分为单晶电池和多晶电池,但是它们的结构基本一样,都有以下部分组成 单晶电池 多晶电池 铝硅形成背面 硅基体 扩散层 蓝色氮化硅 绒面 表面主栅线 表面细栅线 太阳能电池的结构 光伏发电的本质是“光--电转换”。 简单讲,主要是以半导体材料为基础,利用光照产生电子-空穴对,在PN结上可以产生光电流和光电压的现象,从而实现太阳能光电转换的目的。 太阳能电池的工作原理 完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si 价电子 PN结及原理 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 空穴 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空间电荷区的厚度固定不变。 - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - 动画 形成空间电荷区 工作原理:当太阳光照射到太阳电池上并被吸收时,其中能量大于禁带宽度的光子能把价带中电子激发到导带上去,形成自由电子,价带中留下带正电的自由空穴,即电子一空穴对;自由电子和空穴在不停的运动中扩散到P-N结的空间电荷区,被该区的内建电场分离,电子被扫到电池的N型一侧,空穴被扫到电池的P型一侧,从而在电池上下两面(两极)分别形成了正负电荷积累,产生“光生电压”,即“光伏效应”,若在电池两侧引出电极并接上负载,负载中就有“光生电流”通过。 工业硅 6N以上高纯多晶硅 单晶硅棒 多晶硅锭 物理化学 处理 高温熔融 单晶硅片 多晶硅片 组件 系统 组件 太阳能电池的产业链 硅片生产流程 硅锭粘结 开方机 开方后的硅块 硅块检测 硅块截断 硅块平磨倒角 硅块玻璃板和工件板粘结 预清洗脱胶 排片清洗机 切割后硅片 清洗好的硅片 机器检片 人工检片 硅片包装 硅棒粘胶 硅片切割 切好后的硅片 硅片的清洗 * 硅片上污垢的组成 晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为悬空键,形成表面附近的自由力场,极易吸附各种杂质表面,可能沾污的杂质可归纳为三类: ①油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物; ②金属、金属离子及一些无机化合物; ③自然氧化层及尘埃及其他颗粒(硅,碳化硅)等。 一、污垢附着力: 静电力,范德华力,化学键等 二、污垢的危害: 造成硅片易发生变花、发蓝、发黑、影响制绒等现象,使硅片不合格。 三、清洗剂的主要成分: 1、碱(氢氧化钠、氢氧化钾) 2、表面活性剂 3、螯合剂 4、有机溶剂 5、其他原料 1、有机物污垢: 利用表面活性剂的渗透、润湿、乳化作用,解吸、包裹油脂、环氧树脂、聚乙二醇等有机物颗粒离开硅片表面,并成为悬浮的自由粒子。同时在硅片表面形成致密的吸附层,防止二次污染,从而保证了硅片表面的清洁度。 清洗机理 2、金属杂质: A、由于金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换和硅结合,难以去除。 B、去除方法

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