Si基异质结构发光的研究现状.pdfVIP

收稿日期: 1999- 01- 19 基金项目:国家自然科学基金重大项目( 06) ;基金 课题(和 863项目( 863- 307- 06- 05) 第 20卷第 5期 半 导 体 光 电 Vol. 20 No. 5 1999 年 10月 Semiconductor Optoelectronics Oct. 1999 文章编号: 1001- 5868( 1999) 05- 0294- 07 Si基异质结构发光的研究现状 余金中 (中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083) 摘 要: 综述了Si基异质结构发光研究的现状。介绍了 Si材料本身的本征发光、激子发光、 杂质发光等特性,描述了掺 Er- Si的发光、Si基量子结构 (量子阱、量子点) 的光发射, 重点研究 SiGe/ Si异质结构的发光性质。同时还对多孔 Si发光、Si基发光二极管 ( LED) 与 Si双极晶体管 ( BJT) 集成、Si基上垂直腔面发射激光器 ( VCSEL)与微透镜的混合集成作了简要的介绍。 关键词: 发光器件; Si基发光器件; Si基异质结构; 多孔 Si; Si基光电子集成 中图分类号: TN383 文献标识码: A Light emission from Si- based h