发光机制分析分解.ppt

低温下GaN基LED发光机制分析 LED的发展 在20世纪最后十年间，半导体相关的材料技术、微芯片技术的快速发展使得LED照明技术的性能得到了大幅度的提升，在1994年日本科学家中村秀二通过在GaN基片上研发了一款蓝光半导体，这使得GaN技术在LED领域的应用走入了一个高点，GaN基端的LED产品能够实现高亮度、全色彩的发光需求。2014年4月1日在墨西哥，前贝尔实验室的研究员，GaNgleOptronix Ltd 首席技术官、博士Hyam基德，在加勒比海“设备，电路，和系统(ICCDCS2014)IEEE国际会议”上，宣读了一篇关于新型LED生产线的论文，发布了白光功率LED发光效率达到300lm/W。可见，半导体照明产业正向更高光效、更低成本、更多种类和更广泛应用方向发展。 LED相关理论 发光二极管原理 半导体二极管发光器件的主要组成结构是P-N结，是通过两端的电子注入而进行发光，半导体材料一般是采用带隙材料，本课题研究的GaN就是属于带隙材料。 LED效率 LED的效率包含的范围有量子效率、发光效率、光提取效率等。 量子效率：量子效率是指LED在实际工作过程中，发光的电子由于内部吸收和损耗而对理论的发光光子输出量造成的影响。量