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LED螢光材料蔡亞諭張文政高言彰 目錄 LED發光原理 LED製法 LED顏色 白光LED 白光螢光粉發展 石榴石型氧化物螢光粉 矽酸鹽螢光粉 氮化物與氮氧化物 參考資料 LED發光原理 在半導體內正負極2個端子施加電壓，當電流通過，使電子與電洞相結合時，剩餘能量便以光的形式釋放。 LED製法 傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，其亮度在1燭光(1000mcd)以下。 有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，其亮度約在6000-8000mcd。以Al Ga In P四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，發出紅、橙、黃光之琥珀色系，通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，則稱為氮化物LED，一般以藍寶石(Sapphire)為基板。 LED的顏色 LED燈會因為二極晶圓製造過程中所添加的金屬元素不同，成分比例不同，而發出不同波長的光。 白光LED 將螢光粉與藍光LED或紫外UV-LED結合。 多晶片型白光LED，經由組合兩