圖一的細線部分為傳統三五族化合物半導體之能隙與晶格常數關係圖.doc

氮砷化銦量子井特性研究及其應用 時定康 王智祥 林浩雄* 國立台灣大學電機工程系 *e-mail: hhlin@cc.ee.ntu.edu.tw 摘　　要 本文對低氮含量的三五族化合物半導體做一簡單的介紹，並且以氮砷化銦為例，探討氮在砷化銦中所造成的效應。最後，我們也首度嘗試將氮砷化銦應用在雷射二極體的發光主動層上，成功地製作出第一個氮砷化銦雷射二極體，發光波長遠長於同型傳統不含氮之雷射二極體，證明了低氮含量的三五族化合物半導體應用於長波長雷射元件時極具潛力。 一、 簡介 近年來，低含氮三五族化合物半導體(簡稱III-V-N)已引起廣泛的研究興趣。當三五族化合物半導體所摻入的氮含量很高而形成合金(alloy)態時，將不再視為過去的等電性摻雜(isoelectronic doping)，此時材料的物理性質將會有很大變化。圖1為三五族化合物半導體之能隙與晶格常數關係圖。細線部分為傳統三五族化合物半導體部份，圖中可看出該部份一共同點：那就是當能隙減小時晶格常數有變大的趨勢。可是對低含氮三五化合物半導體卻不是這個樣子，以圖中的GaAsN為例，雖然GaN的能隙比GaAs大(立方系-GaN:3.2 eV，GaAs:1.4 eV)，可是低含氮GaAsN三元化合物的能隙卻會隨著氮含量增加而減小。這個奇特的現象是因為於氮原子的原子尺寸較砷原子小(N:0.6埃，砷:1.7埃)且具有較