SiC单晶简介讲义.ppt

* SiC单晶简介 谢雪健 2016.11.1 SiC命名及结构 SiC命名: 200多种结构，按照结构可以分为： α-SiC: 2H, 4H, 6H, 10H, …… β-SiC: 3C-SiC; 15R, 21R, 24R…… SiC结构： CSi4 共价四面体 不同晶型 Si-C 双原子层排列顺序示意图 * SiC性质与应用 * Refractive index: 2.6 Mohs hardness: 9.5 Lattice mismatch: 3.4% SiC相图 碳硅二元系要到 2830℃ 才能出现包晶状态。 理论计算表明：若从化学计量比熔体中采用提拉法生长 SiC， 需要营造 3200℃以上的高温和 105bar以上的高压，条件非常苛刻。 目前获得体块SiC单晶的方法主要有液相法和物理气相传输法（PVT）。 Si-C 二元体系相图 * SiC单晶生长-溶液法 C 在 Si 溶液中的溶解度极低，对于纯 Si-C 二元熔体生长体系，生长速率很低。 加入稀土和过渡金属元素，如 Fe、 Ti、 Cr等， 可以增加 C 在 Si 中 的溶解度。 优点： 近平衡状态下进行生长， 且成本较低。 可以获得低缺陷密度高质量的 SiC 单晶。 缺点： 存在大尺寸晶体生长形态不稳定； 晶体中存在金属助溶剂包裹体。 SiC 单晶液相生长示意图 * SiC单晶生长-PVT法 PVT 生长 SiC 晶体过程示意图 主要包括三部分： T 1800℃，粉料升华-分解反应： 气相组份输运； 过饱和状态下，组份重结晶： * SiC掺杂特性 电阻率达到半绝缘半绝缘： 掺杂半绝缘：掺杂两性杂质。 高纯半绝缘：利用点缺陷补偿浅能级杂质。 电阻率导电： n型SiC：ρ 20 mΩ·cm p型SiC：ρ 2.5 Ω·cm SiC单晶中常见缺陷 微管 多型 刃位错、螺位错 基平面位错 小角晶界 碳包裹体 * SiC单晶加工 晶体 晶棒 晶棒 定向、滚圆 磨平面 切割片 研磨片 抛光片 抛光片 磨定位边 机械抛光 SiC衬底 化学机械抛光 研磨 多线切割 清洗封装 * SiC衬底参数 尺寸特性： 直径； 中心点厚度； 参考边长度； 表面取向； 主定位边; 主参考面取向； 副参考面取向; * * SiC衬底参数 其余性质: TTV, BOW, WARP; 掺杂浓度； 电阻率； 摇摆曲线半宽; 粗糙度。 TTV = a – b BOW = (a - b) / 2 WARP= (a - b) / 2 * 谢谢大家，请大家批评指正！ 每个原子与其四个最近邻原子通过很强的 sp3 共价键结合成正四面体。 两个最近邻原子之间的中心距为 1.89 ?。 虽然 SiC 四面体键很强，但层错形成能 却很低(2.5mJ/m2)，远低于 GaAs 材料的 55 mJ/m2，决定了 SiC 多形体特性。 * *  * 衬底中 的螺位错可以作为外延层中胡萝卜缺陷的成核中心，衬底中的螺位错转化为 外延层中 Frank SFs，衬底中的基平面位错大部分转化为刃位错、部分螺旋特 征的 BPDs 直接延伸到外延层中 * * 每个原子与其四个最近邻原子通过很强的 sp3 共价键结合成正四面体。 两个最近邻原子之间的中心距为 1.89 ?。 虽然 SiC 四面体键很强，但层错形成能 却很低(2.5mJ/m2)，远低于 GaAs 材料的 55 mJ/m2，决定了 SiC 多形体特性。 * *  * 衬底中 的螺位错可以作为外延层中胡萝卜缺陷的成核中心，衬底中的螺位错转化为 外延层中 Frank SFs，衬底中的基平面位错大部分转化为刃位错、部分螺旋特 征的 BPDs 直接延伸到外延层中 *