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光电成像系统 光电成像器件 可见光（含微光）光电成像系统 紫外光光电成像系统 红外光光电成像系统 光电成像器件 光电成像器件是光电成像系统的核心， 新型光电成像器件的不断涌现，推动了光电成像系统的迅速发展。 光电成像系统涉及的信号传递过程： 光电成像器件 近年来，利用光电成像器件构成图像传感器进行光学图像处理与测量已成为现代光学仪器、测控技术的重要发展方向。 广泛应用于遥感、遥测技术、图形图像测量技术和监控工程等，成为现代科学技术的重要组成部分。 光电成像器件的发展： 光电成像器件 光电成像器件的发展： 1934年研制出光电像管，应用于广播电视摄像。它的灵敏度相当低，要达到现在图像信噪比的要求，需要不低于10000 lx的照度，应用范围受到很大限制。 1947年超正析摄像管面世，使最低照度降至2000 lx。 1954年灵敏度较高的视像管投入市场。其成本低、体积小、灵敏度和分辨率都较高，但不是适用于高速场合和彩色应用。 光电成像器件 光电成像器件的发展： 1965年，氧化铅管成功代替正析摄像管，广泛应用于彩色电视摄像机。它使彩色电视广播摄像机的发展产生了一个飞跃。 1976年前后，又相继出现灵敏度更高、成本更低的硒像管和硅靶管。 1970年，美国贝尔实验室发表电荷耦合器件（CCD）原理，从此光电成像器件的发展进入了一个新的阶段——CCD固体摄像器件的发展阶段。 光电成像器件 光电成像器件的类型： 扫描型：又称为摄像器件。这种器件通过电子束扫描或自扫描方式将景物经光学系统成像在器件光敏面上的二维图像转变为一维时序电信号输出出来。这种运载图像信息的一维时序信号称为视频信号。 真空电子束扫描型： 光电型：光电导式和光电发射式 热电型：热释电摄像管 固体自扫描型： 电荷耦合摄像器件 光电成像器件 光电成像器件的类型： 非扫描型：直视型电真空像管 变相管： 红外变像管、紫外变像管 、X射线变像管 像增强管：串联式像增强管、级联式像增强管、微通道板式 像增强管、负电子亲和势阴极摄像管 光电成像器件 把光学图象转换为电信号，即把入射到探测器光敏面上按空间分布的光强信息（可见光、红外光等），转换为按时序串行输出的电信号—视频信号，而视频信号能再现入射的光辐射图象。 固体光电成像器件的功能： 固体光电成像器件的分类： 电荷耦合摄像器件 CCD Charge Coupled Device 互补金属氧化物半导体图象探测器 CMOS Complementary Metal- Oxide-Semiconductor 电荷注入器件 CID Charge Injection Device 光电成像器件 电荷耦合器件（CCD – Charge Coupled Device） 光电成像器件 电荷耦合器件 电荷耦合摄像器件 20世纪70年代由贝尔实验室的 W.S. Doyle和G. Smith发明。 特点：结构简单、集成度高、制造工序少、功耗低、信噪比好。 CCD的基本功能：电荷存储和电荷转移 CCD的工作过程：信号电荷的产生、存储、传输和检测的过程。 电荷耦合摄像器件 CCD器件不同于其它器件的突出特点： 以电荷作为信号，即信息用电荷量（称为电荷包）代表，而其它器件则都是以电压或电流作为信号的 电荷耦合摄像器件 电荷耦合器件（CCD）的组成 MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）光敏元 电荷转移栅 移位寄存器 电荷耦合摄像器件 电荷耦合器件（CCD） 将光信息转换成电脉冲信号，每个脉冲只反映一个光敏元的受光情况，脉冲幅度的高低反映该光敏元受光照的强弱，输出脉冲的顺序反映光敏元的位置，起到图象传感的作用。 电荷耦合摄像器件 MOS光敏元的工作原理 当金属电极上施加正向电压时，在电场作用下，电极下P型区域里的多子（空穴）被排斥、驱赶，形成一个“耗尽区”。 少子（电子）：电场吸引它到电极的耗尽区。耗尽区对电子而言是一个势能很低的区域，称为“势阱”。 电荷耦合摄像器件－ MOS光敏元的工作原理 有光线入射：在光子的作用下，产生e-h对，光生电子被附近的势阱收集，空穴被电场排斥出耗尽区。 势阱内吸收的光生电子数与入射到势阱附近的光强成正比。 MOS结构单元就称为光敏元或一个像素。 一个势阱所收集的若干个光生电荷称为一个“电荷包”。 电荷耦合摄像器件－ MOS光敏元的工作原理 如果此时照在这些光敏单元上是一幅明暗起伏的图像，则这些光敏单元就会产生出一幅与光照强度相对应的光生电荷图像，因而得到了影像信号。 通常在Si上制作成千上万个相互独立的MOS光敏单元（如M行N列）。如果在金属电极上加上正电压，则在硅片上形成成千上万个相互独立的势阱。 电荷耦合摄像器件－移位寄存器 每三个电极（如a1、b1、