2.2线缺陷探索.ppt

（2）分布 三、线缺陷（一维缺陷） —— 位错 在一维方向上缺陷尺寸较长，在另外二维方向上缺陷尺寸很小，从宏观看缺陷是线状的，从微观角度看是管状的。 位错对晶体的生成、扩散、强度、塑性、相变、塑性变形、断裂及其它许多物理、化学性质都有影响。 1、金属理论强度和位错学说的产生 1926年，弗兰克尔，估算了晶体的理论强度 晶体的理论剪切强度： 修正后： G —— 切变模量 金属 Al Ag Cu α-Fe Mg 理论值/MPa 3830 3980 6480 10960 2630 实际值/MPa 0.786 0.372 0.490 2.75 0.393 表2.3 金属理论剪切强度与实际值的比较 位错理论： 1934年，泰勒等把位错与晶体塑性变形时的滑移过程联系起来。 位错的运动： 位错：位错是滑移传递过程中已滑移部分和未滑移部分的交界线，一根位错扫过滑移面，滑移面两边的晶体才完成了一个原子间距的相对切动。 1、位错的基本类型和特征 根据几何结构的不同，位错由以下几种形式： 刃型位错 螺型位错 混和位错 （1）刃型位错 伯格斯矢量 （滑移方向） 位错线； ┸ 刃型位错的特征： 位错周围形成一个弹性应力场； 刃位错有正负之分： ┸正刃位错 ┯负刃位错 在位错线处，晶格畸变最大；离位错线越远晶格畸变越小 （2）螺型位错 螺位错周围存在剪切应力场 螺位错分为左旋和右旋，位错线周围原子配置是螺旋状的 伯格斯矢量 与位错线平行 离位错线距离越远，晶格畸变越小 螺型位错的特征： （3）混和位错 特征：滑移方向与位错线即不平行也不垂直，可分解出螺位错和刃位错。 位错环与柱面位错 位错环：滑移是从滑移面的中间向外扩展（或 由周围向内扩展）。 AB段：正刃位错； DE段：负刃位错 AE段：左螺位错 BC段：右螺位错 CD段：混合位错 柱面位错：滑移面为晶体的一个柱面，晶体沿柱面滑移 3、柏氏矢量和柏氏回路 柏氏矢量 b ：位错运动引起原子切动的方向和距离，即滑移矢量。 柏氏回路： 柏氏矢量 的守恒性 ： 无论柏氏回路的起点和途径如何选择，所得b都是一样的。 柏氏矢量的表示方法： 其模为： 例：计算铜中全位错的柏氏矢量的长度。（ 铜为FCC结构，a0=0.36151 nm ) 4、位错的萌生 结晶萌生 冷却萌生 应力集中萌生 5、位错的运动 位错的滑移：指位错在外力作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。 位错的攀移：指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 位错的滑移： 位错在滑移时是通过位错线或位错附近的原子逐个移动很小的距离完成的。 正、负刃位错相遇 → 空位。 刃位错的运动 螺位错的运动 混合位错的运动 滑移阻力（位错起动力，派－纳力）： 位错起动力是使位错开始滑移所需的剪应力，也叫做派－纳力，它也是晶体点阵对位错运动的阻力，即滑移阻力。 τ—位错开始滑移所需的剪应力 d—滑移面的晶面间距 b—柏氏矢量的模 c,k—常数 位错的攀移： 攀移：刃位错垂直与滑移面的运动 （a）正攀移 （半原子面缩短） （b）未攀移 （c）负攀移 （半原子面伸长） （1）位错密度： 单位体积晶体中内所含位错线的总长 6、位错密度与分布 即单位截面上穿过位错线的数目