4.1半導體基礎知識.ppt

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第4章 光辐射探测器的理论基础 主要内容: 4.1 半导体基础知识 4.2 光电效应 4.3 光热效应 4.4 光电检测器件的分类 4.5 探测器中的噪声 4.6 探测器的主要特性参数 4.1 半导体基础知识 4.1 半导体基础知识 ●物体受光照射,一部分光被物体反射,一部分光被物 体吸收,其余的光透过物体。 ●吸收包括:本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、 激子吸收、晶体吸收等。 4.2 光电效应 4.2 光电效应 4.2 光电效应 4.2 光电效应 4.2 光电效应 * * 1.半导体概述 导体、半导体和绝缘体 自然存在的各种物质,分为气体、液体、固体。 固体按导电能力可分为:导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。 电阻率10-6 ~10-3欧姆?厘米范围内——导体 电阻率1012欧姆?厘米以上——绝缘体 电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体 半导体的特性 半导体电阻温度系数一般是负的,而且对温度变化非常敏感。根据这一特性,热电探测器件。 导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。(纯净Si在室温下电导率为5×10-6/(欧姆?厘米)。掺入硅原子数百万分之一的杂质时,电导率为2 /(欧姆?厘米) 半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响。 2.半导体的分类 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。 载流子形成与复合:价电子获得能量后摆脱原子核的束缚成为自由电子形成电子—空穴对,当自由电子填补空穴后就是复合。 本征半导体载流子的浓度,除与半导体材料本身性质有关外,还与温度有关。 4.1 半导体基础知识 杂质半导体 n 型半导体 当四价的元素中掺入少量五价元素时形成n型半导体。如:硅中掺入杂质磷后,磷原子在硅中形成局部能级位于导带底附近(称为施主能级)。 一般温度下,杂质的价电子很容易被激发跃迁至导带,成为导电电子,使导带中的电子浓度大大增加。 n 型半导体以电子导电为主。 4.1 半导体基础知识 P 型半导体 四价的元素中掺入少量三价元素时形成 P 型半导体,如:在硅中掺入三价的杂质硼,杂质原子的局部能级位于价带顶附近(称为受主能级)。 一般温度下,价带中的电子很容易被激发跃迁至杂质能级上,满带中留下的空穴也将因此而大大增加,而成为多数载流子。 P 型半导体以空穴导电为主。 4.1 半导体基础知识 3.半导体对光的吸收 ●半导体受到外来光子的照射,当外来光子的能量?禁带能隙时,半导体价带的电子吸收光子向高能级跃迁,称为光吸收。 4.1 半导体基础知识 ●本征吸收——由于光子作用使电子由价带跃迁到导带,在价带中留下空穴,产生电子空穴对。本征吸收只决定于半导体本身的性质,它与所含杂质和缺陷无关。 ●只有在入射光子能量大于材料的禁带宽度时,才能发生本征激发。 4.1 半导体基础知识 4.1 半导体基础知识 概念:物体吸收光能后转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。 分类 光电效应 外光电效应 内光电效应 光电导效应 光生伏特效应 一. 外光电效应 在光线作用下,物体内电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。 光电效应能否产生,取决于光子的能量是否大于该物质表面的电子逸出功。这意味着每一种物质都有一个对应的光频阀值,称为红限频率(对应的光波长称为临界波长)。 f光线 f红限, 再大的光强也不能导致电子发射; f光线 f红限,微弱的光线即可导致电子发射。 二.内光电效应 当光照射在物体上,使物体的电阻率ρ发生变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应,它多发生于半导体内。根据工作原理的不同,内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类: 1.光电导效应 在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化,这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。 过程:当光照射到半导体材料上时,价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击,并使其由价带越过禁带跃入导带,如下图,使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加,从而使电导率变大。 导带 价带 禁带 自由电子所占能带 不存在电子所占能带 价电子所占能带 Eg 2.光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。 原理:如上图,入射光照射在PN结上时,若光子能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时,则在PN结内产生电子空穴对,它们的移动使PN结产生电势。 PN结产生光生伏特效应 + + + - - - P N + - 光 + -

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