18-化学机械平坦化讲稿.pptVIP

第十八章 化学机械平坦化 本 章 目 标 1. 什么是平坦化？ 2. 列举并论述三种平坦化工艺. 3. 论述化学机械平坦化，硅片平整性问题，以及CMP的优点 4. 描述氧化物CMP和金属CMP中用的磨料和抛光垫. 5. 论述CMP设备，包括终点检测和磨头. 6. 解释CMP后清洗过程. 7. 列举并描述7种不同的CMP应用. 简单的说就是在晶片的表面保持平整平坦的工艺。 随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面可接受的分辨率的平整度达到纳米级 。传统的平面化技术，如选择淀积、旋转玻璃法等，仅仅能够局部平面化技术，但是对于微小尺寸特征的电子器件，必须进行全局平面化以满足上述要求。90年代兴起的新型化学机械抛光技术则从加工性能和速度上同时满足了硅片图形加工的要求，是目前几乎唯一的可以提供全局平面化的技术。 先进的IC需要至少6层或更多的金属布线层，每层之间由层间介质隔开，建立器件结构和多层连线会很自然地在层之间形成台阶，层数增加时，硅片的表面起伏将更加显著，而一个可接受的台阶覆盖和间隙填充对于芯片的成品率的长期可靠性是至关重要的。 表面起伏的主要负面影响是在光刻时对线宽失去了控制，也难以在刻蚀后台阶上不均匀的光刻胶上制作图形。 单层金属IC的表面起伏剖面 多层金属化结构 非平坦化的IC剖面 平坦化的IC剖面 硅平坦化术语 Table 18.1 平坦化的定性说明 Figure 18.2 CMP在硅工艺中的位置 Used with permission from Advanced Micro Devices Figure 18.4 被平坦化的硅片拥有平滑的表面，填充低的部分，或去掉高的部分是使硅片表面平坦化的两种方法。 16.1 传统的平坦化技术 16.1.1 反刻 由表面图形形成的表面起伏可以用一层厚的介质或其它材料作为平坦化的牺牲层来进行平坦化，这一层牺牲层材料填充空洞和表面的低处。然后用干法刻蚀技术刻蚀这一层牺牲层，通过用比低处图形快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面平坦化。这一工艺称为反刻平坦化。 反刻平坦化 16.1.2 玻璃回流 玻璃回流是在升高温度的情况下给惨杂氧化硅加热，使它发生流动。例如，硼磷硅玻璃（BPSG）在850°，氮气环境的高温炉中退火30分钟发生流动，使BPSG在台阶覆盖出的流动角度大约在20度左右， BPSG的这种流动性能用来获得台阶覆盖处的平坦化或用来填充缝隙。 BPSG在图形处的回流能获得部分平坦化。 缺点：淀积铝金属层后就不能使用 BPSG回流平坦化 16.1.3 旋涂膜层 旋涂膜层是在硅片表面上旋涂不同液体材料以获得平坦化的一种技术，主要用作层间介质。旋涂利用离心力来填充图形低处，获得表面形貌的平滑效果。这种旋涂法的平坦化能力与许多因素有关，如溶液的化学组分、分子重量以及粘滞度。 旋涂的膜层材料是有机或无机的材料，包括光刻胶、旋涂玻璃（SOG）和多种树脂。旋涂后的烘烤蒸发掉溶剂，留下溶质填充低处的间隙。 淀积了ILD-2氧化层的旋涂膜层 16.2 化学机械平坦化 化学机械平坦化（CMP）是一种表面全局平坦化技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有磨料，并同时施加压力。CMP设备也常称为抛光机。 CMP通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得均匀的硅片表面。由于它能精确并均匀地把硅片抛光为需要的厚度和平坦度，已经成为一种最广泛采用的技术。 化学机械平坦化的原理图 CMP抛光垫 一．CMP的平整度 CMP在制造中用来减小硅片厚度的变化和表面形貌的影响。硅片的平整度和均匀性的概念在描述CMP的作用方面很重要。平整度描述从微米到毫米范围内硅片表面的起伏变化，均匀性是在毫米到厘米尺度下测量的，反映整个硅片上膜厚度的变化。因此，一个硅片可以是平整的，但不是均匀的，反之亦然。 平整度（DP）指的是，相对于CMP之前的某处台阶高度，在做完CMP之后，这个特殊台阶位置处硅片表面的平整程度。 硅片平整度的测量 因此，DP与某一特殊图形有关，DP可通过下式来计算： DP(%) = （1—SHpost / SHpre）×100 其中，DP = 平整度 SHpost = CMP之后在硅片表面的一个特殊位置，最高和最低台阶的高度差 SHpre =