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第3章 通信光器件 3.1 光源 3.2 光电检测器 3.3 光放大器 3.4 无源光器件 第3章 通信光器件 目标 ●掌握光与物质的三种作用方式 ●了解激光器的结构 ●掌握激光器的原理 ●了解激光器的性能 ●了解发光二极管的原理、结构和性能 ●掌握激光器与发光二极管性能上的异同 ●了解光电检测起的结构 ●掌握光电检测器的原理和应用 ●了解光放大器的知识 ●掌握掺铒光纤放大器的原理、组成和应用 ●了解光无源器件的种类 ●掌握常用光无源器件的性能 3.1 光源 光源可实现从电信号到光信号的转换，是光发射机以及光纤通信系统的核心器件，它的性能直接关系到光纤通信系统的性能和质量指标。本节主要对半导体激光二极管（LD）和半导体发光二极管（LED）两种光源的结构、工作原理以及相关的特性进行介绍，并给出了它们的技术指标。 3.1.1 与激光器相关的几个物理概念 1．光子的概念 爱因斯坦的光量子学说认为，光是由能量为hf的光量子组成的，其中h=6.628× J·s（焦耳·秒），称为普朗克常数，f是光波频率，人们将这些光量子称为光子。 2．原子能级 半导体晶体，原子核外的电子运动轨道因相邻原子的共有化运动要发生不同程度的重叠，晶体中的能级如图3-1所示，电子已经不属于某个原子所有，它可以更大范围内甚至在整个晶体中运动，也就是说，原来的能级已经转变成能带。对应于最外层能级所组成的能带称为导带，次外层的能带称为价带，它们之间的间隔内没有电子存在，这个区间称为禁带。 图3-1 晶体中的能级 3．光与物质的三种作用形式 与物质的相互作用，可以归结为光与原子的相互作用，将发生受激吸收、自发辐射和受激辐射三种物理过程。 1）在正常状态下，电子通常处于低能级E1，在入射光的作用下，电子吸收光子的能量后跃迁到高能级E2，产生光电流，这种跃迁称为受激吸收。这就是光电检测器的工作原理。 2）处于高能级E2上的电子是不稳定的，即使没有外力的作用，也会自发地跃迁至低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射。这就是发光二极管的工作原理。自发辐射是非相干光。 3）在高能级E2上的电子，受到能量为hf的外来光子激发时，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，同时释放出一个与激发光同频率、同相位、同方向的光子，这种跃迁称为受激辐射。这就是激光器的工作原理。受激辐射是相干光。 能级和电子跃迁如图3-2所示。 图3-2 能级和电子跃迁 4．粒子数反转分布与光的放大 受激辐射是产生激光的关键。如设低能级上的粒子密度为N1，高能级上的粒子密度为N2，在正常状态下，N1＞N2，总是受激吸收大于受激辐射。即在热平衡条件下，物质不可能有光的放大作用。 要想物质产生光的放大，就必须使受激辐射大于受激吸收，即使N2＞N1（高能级上的电子数多于低能级上的电子数），这种粒子数的反常态分布称为粒子（电子）数反转分布。 粒子数反转分布状态是使物质产生光放大而发光的首要条件。 5．直接带隙和间接带隙半导体 在光的受激发射过程中必须保持能量和动量的守恒。禁带形状是与动量有关的，依照禁带的形状，可将半导体分成直接带隙和间接带隙如图3-3所示。直接带隙材料中，导带最小能级和价带最大能级有相同的动量，电子是垂直跃迁的，发光效率高，如图3-3a所示；间接带隙材料中，要完成电子的跃迁，必须有其它粒子的参与以保持动量守恒，如图3-3b所示，只有直接带隙半导体材料才能制作发光器件，这类材料有GaAs、AlGaAs、InP和InGaAsP等。 图3-3 直接带隙和间接带隙 3.1.2 激光器的原理 半导体激光器要实现激光发射工作，必需满足以下三个条件： （1）产生激光的工作物质 即处于粒子数反转分布状态的工作物质，称为激活物质或增益物质，它是产生激光的必要条件。 （2）泵浦源 使工作物质产生粒子数反转分布的外界激励源，称为泵浦源。物质在泵浦源的作用下，使得N2＞N1，从而受激辐射大于受激吸收，有光的放大作用。这时的工作物质已被激活，成为激活物质或增益物质。 （3）光学谐振腔 激活物质只能使光放大，只有把激活物质置于光学谐振腔中，以提供必要的反馈及对光的频率和方向进行选择，才能获得连续的光放大和激光振荡输出。 1）光学谐振腔的结构 在激活物质两端的适当位置，放置两个反射系数分别为r1和r2的平面反射镜M1和M2，就构成了最简单的光学谐振腔。两个反射镜要求一个能全反射，另一个为部分反射。 图3-4 光学谐振腔的结构 2）谐振腔产生激光振荡过程 图3-5 激光器示意图 3）光学谐振腔的谐振条件与谐振频率 设谐振腔的长度为L，则谐振腔的谐振条件为