褚君浩，紅外物理國家重點實驗室.ppt

X=0.334 HgCdTe 这一结果最早在1983年发表在中文的“红外研究”杂志上，但被美国国防部AD报告出版部门翻译成英文发表在AD报告上。 褚君浩，红外研究, 2(2) (1983)89. 该文收入美国国防部AD报告.ChuJunhao,The intrinsic absorption spectra of HgCdTe compared with Kane modele U.S.A. AD-A135504/9. 红外物理国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所 National Laboratory for Infrared Physics 导弹预警 导弹制导 红外雷达 吸收边 本征吸收 红外光 导带 价带 对于碲镉汞，过去没有测量到本征吸收带（髙吸收系数测量问题） 光电跃迁 吸收边 首次发现带间跃迁吸收带－褚 Hg1-xCdxTe 组分X = 0.170 、0.200、 0.226、0.276、0.330、0.366、 0.416、 0.443 温度T ＝ 4.2 ? 300 K Landoldt－Buerstein III/41B 1999 过去只有吸收边－Scott 美国主要研究HgCdTe红外探测器单位：加州桑塔巴巴拉研究中心用来分析器件光谱响应 褚等在Kane区获得最完整的HgCdTe吸收曲线 ? Seiler DG, Littler CL, Weiler MH,, SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS 1992,Vol 36 293-427b 我们提出的Eg（x,T）公式被称作CXT公式，与其他同类公式相比较，与实验结果更为符合 作者Seiler是国际窄禁带半导体会议主席、美国碲镉汞物理化学会议主席 美国空军研究实验室大篇幅引用我们的带间光跃迁吸收光谱，作为理论研究的实验依据 对于 T＝300K 时 x=0.265，0.330， 0.443；T＝4.2K时， x＝0.443 理论计算与实验结果很好符合 美国主要研制红外器件的单位 J APPL PHYS 80:1116-1127 (1996 ) 如图5中虚线所示，测量到的吸收系数可以和理想的具有同样禁带宽度的HgCdTe相当。 用我们的吸收光谱作为HgCdTe的理想吸收光谱，并用来比较InAs/GaInSb超晶格的吸收曲线 吸收光谱再次取自chu等 我们的吸收系数公式被美国海军实验室，雷松公司等定量研究负荧光现象 三种方法定量解释负荧光现象，提了三次用Chu等的吸收系数公式 提出的碲镉汞红外探测器截止波长表达式和禁带宽度公式，被美国UIC编入软件包，提供给美国的公司用于器件设计。 褚君浩 带间光跃迁结果被他人写入8本专著中 褚君浩，红外物理国家重点实验室，上海 中国 这一科学手册已经有120多年的历史，包括了人类科学和技术各领域的基本数据和函数关系,每隔10－15年邀请世界上各领域有影响的科学家集中修订一次,被国际上认为是最权威的科学手册。 “从而形成半导体物理学的重要分支—窄禁带半导体……据本人所知，这还是国际上的第一本专著。” 序 Synopsis ? This book is intended to present a current view of the field of narrow gap semiconductors and their principal use as mid- and far-infrared focal plane arrays. The field has advanced significantly in the past 10 years or so, and this advance has not been captured in a self –contained book. Professor Chu is in a unique position to write a comprehensive book on this subject for the following reasons. He heads the Shanghai Institute of Physics where all the Chinese work on marrow gap materials is concentrated. Fifteen years ago the level of effort and sophistication of the Chinese work was minimal. Now they have not only caught up with the world but are well ahead