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集成电路（IC）：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能 IC按器件结构类型分类：双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）优：速度高、驱动能力强 缺：功耗大、集成度相对较低 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管构成（NMOS、PMOS、CMOS(互补MOS)）优：输入阻抗高、抗干扰能力强、功耗小、集成度高 双极-MOS(BiMOS)集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路，综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂 集成电路分类：结构分类：单片集成电路（双极型，ｍｏｓ型（ｐ，Ｎ，Ｃ），Ｂｉｍｏｓ）混合集成电路（厚膜混合，薄膜） 按规模：小，中，大，超大，特大，巨大 按功能：数字（组合逻辑，时序逻辑），模拟（线性，非线性），数模混合 按应用领域 半导体的主要特点：1）纯净的半导体中，电导率随温度的上升指数增加；2）半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，且掺杂时温度对其影响较弱； 3）半导体中可以实现非均匀掺杂；4）光的辐照、高能电子的注入可影响半导体的电导率。 N型半导体：Ⅴ族杂志原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，通常把这种杂质称为施主杂质 P型半导体：Ⅲ族杂志原子可以向半导体硅提供一个空穴，而本身接受一个电子成为带负电的离子，通常把这种杂质称为受主杂质 电子的微观运动形式：量子态：电子的稳恒运动，电子具有完全确定的能量。量子跃迁：电子在一定条件下从一个能态跃迁到另一个能态的突变。 能带：晶体中量子态的能级分成由低到高的许多组，分别和各原子能级相对应，每一组内包含大量的、能量很接近的能级。导带：价带以上的能带基本上是空的，未被电子填充的能量最低的能带为导带 价带：被电子填充的能量最高的能带 禁带：能带之间的间隙 用能带解释导带机理：电子摆脱共价键而形成电子和空穴的过程就是一个电子从价带到导带的量子跃迁过程结果是导带中增加了一个电子而价带中出现了一个空能级 集成电路性能参数：集成度、功耗延迟积、特征尺寸。特征尺寸：通常是指集成电路中半导体器件的最小尺度。特征尺寸越小，加工精度越高，可能达到的集成度也越大，性能越好。功耗延迟积，就是把电路的延迟时间与功耗相乘，该参数是衡量集成电路性能的重要参数。功耗延迟积越小，即集成电路的速度越快或功耗越低，性能便更好。成品率：受IC制作工艺、电路设计、芯片面积、硅片材料质量、指标要求等因素影响，定义为：Y=（硅片上的好的芯片数量/硅片上中的芯片数量）x100% seed模型 Murphy模型 CMOS机理：为了在同一硅衬底上同时制作出P,N沟MOSFET必须在同一硅衬底上形成N,P型区域，并在N型区上制作PMOSFET在P上制作NMOSFET，若选用N型衬底，可直接制作PMOSFET，对于NMOSFET必须在硅衬底上形成P型扩散区。 存储器的种类：1.随机存储器（RAM）—（静态存储）DRAM和（动态存储）SRAM 2.只读存储器（ROM）—（可编程只读存储）PROM和掩模ROM CVD（化学气相淀积）：常压（APCVD），低压（LPCVD）特点：薄膜厚度的均匀性好，装片量大，但淀积速度慢 等离子增强（PECVD）特点：淀积温度低，但反应淀积的材料颗粒大，表面粗糙 氧化硅层的主要作用：1）作为MOS期间的绝缘栅介质2）用作选择扩散时的掩蔽层3）作为离子注入的阻挡层4）作为集成电路的隔离介质材料5）作为电容器的隔离介质材料6）作为多层金属互连层之间的介质材料7）作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 制作工艺１、氧化剂从气体内部被传输到气体＼二氧化硅界面２、通过扩散穿过已经形成的二氧化硅层　３、在二氧化硅层＼硅界面处发生化学反应 SiO2的制备方法：干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化 光刻：在衬底表面淀积材料层之后，通常需要部分区域的材料层保留下来，而将部分区域的材料层去掉这个在衬底表面层上定义不同区域的过程是光刻 光刻方法：接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤，生产效率高 接近式曝光：大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低，生产效率高 投影式曝光：避免对掩模版的损伤 扩散：是微观粒子热运动的统计结果 扩散工艺包括两个步骤，即在恒定表面浓度条件下的预淀积和在杂质总量不变情况下的再分布。目前比较常见的扩散方法主要有固态源扩散和液态源扩散等 离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目决定 特点：1.掺杂的均匀性好2.温度低：小于600℃3.