第5章微型计算机原理与应用详解.ppt

5.3 只读存储器（ROM） 掩模ROM 一次性可写ROM（PROM） 可读写ROM 分 类 EPROM（紫外线擦除） EEPROM（电擦除） 掉电后信息不会丢失。 5.3.1 EPROM 特点： 可多次编程写入 掉电后内容不丢失 内容的擦除需用紫外线擦除器 1、引线及功能 EPROM芯片2764 8K×8bit芯片，其引脚与SRAM 6264完全兼容： 地址信号：A0 ~ A12 数据信号：D0 ~ D7 输出信号：*OE 片选信号：*CE 编程脉冲输入：*PGM 5.3.1 EPROM 5.3.1 EPROM 2、2746的工作方式 数据读出 编程写入 擦除 标准编程方式 快速编程方式 编程写入的特点： 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据; 5.3.1 EPROM 1）数据读出 把地址送到A0～Ａ12→把数据送到数据线→使*CE=0，*OE=0同时有效→读数据。 CE OE Dout 有效读出数据 有效地址 5.3.1 EPROM 地址范围： 70000H ~ 71FFFH 5.3.1 EPROM 2）编程写入 （1）标准编程方式 每给出一个编程负脉冲就写入一个字节的数据。 A. Vcc接+5V； B. A0～A12上给出存储单元地址； C. *OE和*CE有效； D. 数据线上给出要写入的数据； 　 上述信号稳定后，在*PGM端加上50±5ms的负脉冲，将一 个字节的数据写入存储单元。 若其他信号不变，只是在每写入一个单元的数据后就将*OE变低，则可以立即对刚写入的数据进行校验。 缺点：速度慢、不安全 （2）快速编程方式 先用100μs的变成脉冲写入索要编程的单元，再从头检验每个写入的字节，不正确，重新写入并检验 5.3.2 EEPROM 特点： 可在线编程写入 掉电后内容不丢失 电可擦除 5.3.2 EEPROM 1、NMC98C64A的引线 8K×8bit芯片 13根地址线（A0 ~ A12） 8位数据线（D0 ~ D7） 输出允许信号（*OE） 写允许信号（*WE） 选片信号（*CE） 状态输出端（READY/*BUSY） GND Vcc A 12 A 8 A 9 *WE A 11 *OE D 0 1 2 3 4 5 6 7 8 28 27 26 25 24 23 22 21 20 9 A 6 A 5 A 4 A 3 A 0 A 1 A 2 EPROM 2764 10 11 12 13 14 A 10 NC A 7 18 17 16 15 19 R/*B D 2 D 1 D 3 D 5 D 4 D 6 *CE D 7 5.3.3 闪存 闪存属于EEPROM，它的编程速度更快，掉电后信息不丢失。闪存具有数据读出、编程写入和擦除3种工作方式。 数据读出时可以是读出某个单元的内容、读内部寄存器的内容以及读出芯片内部的厂家及器件标记。 编程写入包括对芯片单元的写入和对其内部某个数据快的软件保护。软件保护是用命令使芯片的某些块规定为写保护状态，也可以置整片为写保护状态，这样可使被保护的块不被写入新的内容或擦除。 擦除可以每次擦除一个字节，也可以一次擦除整个芯片，或根据需要只擦除片内某些块。 闪存目前主要用来构成存储卡，现已大量用于便携式计算机、数码相机、MP3播放器等设备中。 5.3.3 闪存 特点： 通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式 数据读出 编程写入： 擦除 读单元内容 读内部状态寄存器内容 读芯片的厂家及器件标记 数据写入，写软件保护 字节擦除，块擦除，片擦除 擦除挂起 2、工作方式 5.3.3 闪存 　NOR型与NAND型闪存 NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小. 而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。 NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大 NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 5.3.3 闪存 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息. NAND型闪存的基本存储单元是页(Page) NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节;每一页的有效容量是512字节的倍数 有